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产品型号
|
品类
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封装/外壳/尺寸
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PD(W)
|
ID
|
VDSS(V)
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Polarity
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Qg(nC)@10V(typ)
|
VGSS(V)
|
RDS(on)mΩ@10V
|
|
LGE1N60P
|
MOSFET
|
TO-220AB
|
40
|
1.2A
|
600
|
N
|
5
|
±30
|
9300
|
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|
产品型号
|
品类
|
VDSS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(th)(V)
|
RDS(ON)Max.@VGS/IDS(mΩ)
|
P.D.(mW)
|
Channel Type
|
Package
|
|
BM3407
|
小信号 MOSFET
|
-30
|
±20
|
-4.2
|
-1
|
55
|
1400
|
P-Channel
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SOT-23
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产品型号
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品类
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电压量程
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IDM脉冲漏极电流(最大峰值电流)
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漏源导通电阻
RDS
|
最大功率
|
|
HC060N065H6P
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碳化硅MOSFET
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650V
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92.6A
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60mR
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288W
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