6N70P N-Channel Power MOSFET

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2026-04-29 鲁光电子 技术文档 英文

导通电阻(RDS(ON))=1.6Ω @ 栅源电压(VGS)=10V,漏极电流(ID)=3A。低栅极电荷(典型值51nC)。低反向传输电容(CRSS)(典型值45pF)。高开关速度。

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产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
PD(W)
ID
VDSS(V)
Polarity
Qg(nC)@10V(typ)
VGSS(V)
RDS(on)mΩ@10V
LGE1N60P
MOSFET
TO-220AB
40
1.2A
600
N
5
±30
9300
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BORN小信号 MOSFET选型表

选型表  -  BORN BORN小信号 MOSFET选型:VDSS(V):-100~100,VGS(V):±5~±20,ID(A):-15~18,P.D.(mW):150~35000,Package:DFN2X2-6L/SOT-23/SOT-723/SOT-523等。

产品型号
品类
VDSS(V)
VGS(V)
ID(A)
VGS(th)(V)
RDS(ON)Max.@VGS/IDS(mΩ)
P.D.(mW)
Channel Type
Package
BM3407
小信号 MOSFET
-30
±20
-4.2
-1
55
1400
P-Channel
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产品型号
品类
电压量程
IDM脉冲漏极电流(最大峰值电流)
漏源导通电阻 RDS
最大功率
HC060N065H6P
碳化硅MOSFET
650V
92.6A
60mR
288W
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