CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHSDCD5GP-A
●特征
■塑料封装有保险商实验室易燃性分类94V-0
■对于表面安装应用
■低调封装
■内置应变消除
■金属硅结,大部分载流子导电
■低功耗、高效率
■高电流能力,低正向压降
■高浪涌能力
■用于低压高频逆变器、续流和极性保护应用
■保证高温焊接:端子处260℃/10秒
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JOULANT 高侧栅极驱动芯片选型表
选型表 - JOULANT JOULANT 提供高侧栅极驱动芯片选型,系统耐压完整覆盖 100V、110V、200V、300V、600V、700V 多高压档位;驱动电流分级丰富,包含 0.25A/0.5A、0.3A/0.6A、0.6A/1.0A、1.5A/1.5A、2.5A/2.5A、3.5A/4.5A、4A/4A 等规格;欠压锁定区间多样,适配不同供电轨设计需求。功能配置多元:支持基础 IN 单路输入、双路 IN1&IN2 输入;集成 μHVIC 高压隔离、CS 电流检测、FAULT 故障报警、VDES 等保护与辅助功能,部分型号可配置电流检测阈值。专门面向高压高侧功率管驱动场景,适配高压开关电源、工业逆变、电机驱动、隔离功率变换等方案。
|
产品型号
|
品类
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功能
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封装
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驱动能力
|
系统电压
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欠压
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JAG10752
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高侧栅极驱动芯片
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IN, µHVIC
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SOT23-6
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0.6A/1.0A
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100V
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7.7/8.7V
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BORN车规级肖特基二极管选型表
选型表 - BORN BORN车规级肖特基二极管选型:VR(V):20~200,IF(A):0.15~5,VF(Max)(V):0.39~1,IR @VR(V):10~200.
|
产品型号
|
品类
|
VR(V)
|
IF(A)
|
VF(Max)(V)
|
VF @IF(mA)
|
IR(Max)(µA)
|
IR @VR(V)
|
Package
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|
SS56-C
|
车规级肖特基二极管
|
60
|
5
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0.7
|
5000
|
500
|
60
|
SMA
|
海明微半导体碳化硅二极管选型表
选型表 - 海明微半导体 海明微半导体提供多款系列型号的碳化硅肖特基二极管 (SiC Schottky Diode) 选型,额定电压 VRM 为 650V~1200V,正向电流 IF 为 2A~80A,正向压降 VF 为 1.28V~1.49V, 低电容电荷 Qc为11nC~274nC,反向漏电流 IR为1A~100A,高浪涌电流 IFSM为24A~600A。此类碳化硅肖特基二极管凭借宽禁带材料特性,可实现极快开关速度与低开关损耗,主要应用于电源PFC、充电桩、光伏逆变器、微型逆变器、数据中心服务器电源、新能源汽车、储能、UPS、工业变频、LED电源等。
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产品型号
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品类
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Vʀʀᴍ(V)
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Iғ(A)
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Vғ (V) @25℃
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Iʀ@25℃ (A)
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Qᴄ(nC)
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Iғsᴍ(A)
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HD004N065F1X
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碳化硅肖特基二极管
|
650V
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4A
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1.41V
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2A
|
11nC
|
34A
|
电子商城
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