Phase leg Series & SiC parallel diodes MOSFET Power Module APTM100A13SCG

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2018-08-25 MICROSEMI 数据手册 英文


■VDSS=1000V
■RDSon=130mΩ典型值@Tj=25°C
■Tc=25°C时ID=65A
■特征
●功率MOS 7®MOSFET
▲低RDSon
▲低输入和Miller电容
▲低栅极电荷
▲额定雪崩能量
▲非常坚固
●并联SiC肖特基二极管
▲零反向恢复
▲零正向恢复
▲与温度无关的开关行为
▲VF上的正温度系数
●开尔文源,便于驾驶
●非常低的杂散电感
▲对称设计
▲M5电源连接器
●高度集成
■好处
●在高频操作中表现出色
●直接安装到散热器(隔离封装)
●低结到外壳热阻
●低调
●符合RoHS

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