MDF11N65B N-Channel MOSFET 650V,12A,0.65,
●一般说明
■这些N沟道MOSFET采用先进的MagnaChip MOSFET技术生产，具有低导通电阻、高开关性能和优良的质量。
■这些设备适用于SMPS、高速开关和通用应用。
●特征
■VDS=650伏
■ID=12A@VGS=10V
■RDS（打开）≤ 0.65Ω @ VGS=10伏
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|
产品型号
|
品类
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电压量程
|
最大功率
|
源精度
|
T.C.R. PPM/℃
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测量精度
|
|
SMM02040D2672BB300-LST
|
贴片圆柱金属膜电阻
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≤200V
|
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|
0.1%
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0.001
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|
产品型号
|
品类
|
VDS
|
ID
|
Vgs (±V)
|
Vth(V)
|
ESD
Diode
|
RDS(on) mΩ 10V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 10V(Max)
|
RDS(on) mΩ 4.5V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 4.5V(Max)
|
RDS(on) mΩ 2.5V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 2.5V(Max)
|
Ciss Typ(pF)
|
Qg Typ(nC)
|
Type
|
Package
|
|
FHC1208
|
MOS管
|
12(Vss)
|
8(Is)
|
8
|
0.4~1.4
|
Yes
|
/
|
/
|
4.7(Rss)
|
5.5(Rss)
|
6.8(Rss)
|
9.0(Rss)
|
2760
|
24.7
|
N+N
|
WLCSP6-2.14x1.67x0.1
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|
产品型号
|
品类
|
封装/外壳/尺寸
|
PD(W)
|
ID
|
VDSS(V)
|
Polarity
|
Qg(nC)@10V(typ)
|
VGSS(V)
|
RDS(on)mΩ@10V
|
|
LGE1N60P
|
MOSFET
|
TO-220AB
|
40
|
1.2A
|
600
|
N
|
5
|
±30
|
9300
|
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