本文内容由SHINDENGEN品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表
选型表 - GOFORD GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型：VDS(V)：-250~1200，Id at 25℃(max)(A)：-200~400，PD(max)(W)：0.3-2300，Ciss(pF)：19-15870.
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Type
|
ESD
|
Vds (V)
|
Vgs(V)
|
Ids(A)
|
Pd(W)
|
Vgs(th) max (V)
|
Qg(nC)
|
Qgs(nC)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
Crss (pF)
|
Technology
|
|
G06P01E
|
Trench Mosfet
|
SOT-23
|
P
|
ESD
|
-12
|
±10
|
-4
|
1.8
|
-1
|
14
|
2.3
|
3.6
|
1087
|
253
|
TRENCH
|
macrocore semiconductor SiC MOSFET选型表
选型表 - macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的SiC MOSFET选型:涵盖650V至2000V耐压范围，导通电阻从13mΩ至560mΩ，支持最大电流8A至125A，产品封装形式多样，包括TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L、DFN8*8、TOLL等，满足不同功率密度需求。所有型号均支持-40℃至175℃工作温度范围，部分型号通过车规级认证。具备低导通电阻、高开关速度及低栅极电荷量（QG最低13nC），优化系统效率和热性能。产品线交期为3个月，支持灵活起订量，助力客户快速量产。
|
产品型号
|
品类
|
PKG
|
VDS(V)
|
RDSON(mΩ)
|
RDSON(mΩ)
|
ID(A)
|
Vth (V)
|
CISS(pF)
|
COSS(pF)
|
CRSS(pF)
|
QG（nC）
|
Operating Junction Temperature（℃）
|
Qualification
|
产品状态
|
产品线交 leadtime
|
MPQ 最小包装）
|
SPQ（标准包装）
|
MOQ （最小订单）
|
|
HX1M040065D
|
SiC MOSFET
|
TO-247-3L
|
650
|
33
|
35
|
71
|
2.6
|
2200
|
196
|
12
|
105
|
-40℃~175℃
|
工业级
|
量产
|
3个月
|
600EA
|
3000EA
|
600EA
|
VBsemi场效应管选型表
选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
沟道
|
Vds(V)
|
Vth(V)
|
Ida(A)
|
|
12N10-VB
|
MOSFET
|
TO252
|
Single-N
|
100V
|
1.8V
|
15A
|
台懋MOSFET选型表
选型表 - 台懋 台懋提供MOSFET场效应管选型，涵盖N沟道、P沟道及互补型产品，电压范围20V-200V，电流0.2A-280A。关键特性包括低导通电阻（最低0.5mΩ）、多种封装（SOT-23、SOP-8L、TO-220等），支持Trench和SGT技术，部分型号具备ESD保护。N沟道型号如TM30N03D（30V/30A）适用于高效电源管理，P沟道如TM60P03D（-30V/-60A）适合负压电路，互补型如TM4614（40V/-40V）可用于H桥驱动。全系列覆盖工业、消费电子及汽车应用，提供高性价比解决方案。
|
产品型号
|
品类
|
极性
|
Technology
|
ESD
|
Package
|
Configuration
|
Vᴅs(V)
|
Vɢs(V)
|
Vɢs₍ᴛʜ₎(V)
|
Rᴅs₍ᴏɴ₎-4.5V
|
Rᴅs₍ᴏɴ₎-2.5V
|
Iᴅ(A)
|
Ciss(PF)
|
|
TM01EN02I5
|
MOSFET
|
N=20V
|
Trench
|
Y
|
SOT-523
|
Single
|
20
|
±12
|
0.7
|
145
|
225
|
1
|
60
|
WAYON power MOSFET选型表
选型表 - WAYON WAYON（维安半导体）提供 Trench P Channel Power MOSFET（沟槽P沟道功率MOSFET）/SGT P Channel Power MOSFET（SGT P沟道功率MOSFET）/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET（SGT N沟道功率MOSFET）/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型，Type：N/P，ESD：NO/YES，VDS(V)：-150~300V，Vgs Max(v)：±10~±20V，VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Configuration
|
Type
|
ESD
|
VDS(V)
|
Vgs Max(V)
|
ID at 25℃(A)Max.
|
VGS(th)(V)-Typ.
|
Rds(on)Vgs=10V
|
Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
|
Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
|
Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
|
Ciss (pF)Typ.
|
Coss (pF)Typ.
|
Crss (pF)Typ.
|
|
WMB70P02TS
|
Trench P Channel Power MOSFET
|
PDFN5*6-8L
|
Single
|
P
|
NO
|
-20
|
±12
|
-70
|
-0.65
|
3.1
|
4.1
|
3.5
|
4.8
|
4599
|
668
|
577
|
格瑞宝电子SGT Channel MOSFET选型表
选型表 - 格瑞宝电子 格瑞宝电子提供SGT Channel MOSFET选型，覆盖25-250 V N沟与-100 V P沟，4.5-20 V驱动，0.8-1400 mΩ超低RDS(on)，3-425 A大电流，可选ESD保护；封装含PDFN3.3×3.3/5×6、TO-220/263/247、TOLL/TOLT、SOT-23/89、SOP8等，适配电机驱动、电源同步整流、DC-DC、快充及汽车负载开关。
|
产品型号
|
品类
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(TH)(V)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
|
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
|
Package
|
|
GPT010NE2LNA
|
SGT Channel MOSFET
|
25
|
±20
|
110
|
1.60
|
1.70
|
2.20
|
2.20
|
2.9
|
PDFN3.3X3.3-8L
|
萨瑞微电子MOS选型表
选型表 - 萨瑞微电子 N型或P型低Rds(ON)阻抗选择，开关电压转换低功耗，符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD Level 3，UL 易燃性等级 94V-0，Leadless Chip设计降低了结电容，6针或8针选择适合多功能产品应用，表贴封装，先进的沟槽电池设计，极低的阈值电压，ESD保护，低 RDS(ON) 和 FOM，具备优异的稳定性和均匀性。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
Type
|
Vds（V）
|
Vgs（V）
|
Rds(on) Vgs=10V Typ(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=10V Max(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=4.5V Typ(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=4.5V Max(mΩ)
|
VGS(th) Min（V）
|
VGS(th) Max（V）
|
ID （A）
|
PD （W）
|
ESD
|
Dynamic.Ciss（pf）
|
Dynamic.Coss（pf）
|
Dynamic.Crss（pf）
|
Dynamic.Rg（Ω）
|
Marking
|
|
SR3406
|
MOSFET
|
SOT23
|
SN
|
30
|
20
|
65
|
82
|
75
|
95
|
1
|
3
|
3.6
|
1.25
|
No
|
288
|
57
|
39
|
3
|
R6
|
固锝MOS选型表
选型表 - 固锝 固锝提供以下技术参数的MOSFET选型，Vdss（耐受的最大电压）：-60V~700V，Id（能通过的电流）：-50A~200A，Pd（承受最大功率）：0.2W~500W，Rds（导通电阻）：0.135mΩ~120mΩ
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Config.
|
Pd(W)
|
Max Vds(V)
|
Max Id(A）
|
Max Vgs(+/-V)
|
Vgs(th) Min (V)
|
Vgs(th)Max (V)
|
Typ Rdson（mΩ）at Vgs=4.5V
|
Max Rdson（mΩ）at Vgs=4.5V
|
Typ Rdson（mΩ）at Vgs=2.5V
|
Max Rdson（mΩ）at Vgs=2.5V
|
|
SSF2302
|
MOSFET-N
|
SOT-23
|
Single
|
0.9W
|
20V
|
2.4A
|
8V
|
0.65V
|
1.2V
|
45mΩ
|
60mΩ
|
70mΩ
|
115mΩ
|
AM(安美半导体)场效应晶体管选型表
选型表 - AM AM(安美半导体)场效应晶体管选型：小信号MOSFET/场效应管完整选型，覆盖20-100 V、0.3-6.5 A、16-4000 mΩ，N/P沟、N+N/P+P双沟及ESD保护可选；封装囊括SOT23/89/523/563、DFN2X2-6L、SOT23-6L等，Vth 0.6-2 V，Qg低至0.58 nC。优势低Rds、低Qg、±8-20 V栅压兼容，适配负载开关、电池保护、电平转换、高速信号切换。
|
产品型号
|
品类
|
Packing
|
Marking
|
Type
|
ESD Diode
|
VDSS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VTH typ(V)
|
RDS(ON)Typ(mR)VGS=10V
|
RDS(ON)Typ(mR)VGS=4.5V
|
RDS(ON)Typ(mR)VGS=3.3V
|
RDS(ON)Typ(mR)VGS=2.5V
|
Qg typ(nc)
|
Qgs typ(nc)
|
Qgd typ(nc)
|
Ciss typ(nc)
|
Coss typ(nc)
|
Crss typ(nc)
|
|
AMR022N03L
|
场效应晶体管
|
SOT89
|
022N03
|
N
|
NO
|
30
|
±12
|
8
|
0.8
|
20.5
|
24.5
|
28
|
--
|
5.5
|
0.9
|
1.1
|
374
|
51
|
45
|
科信电子N沟道场效应管选型表
选型表 - 科信 提供科信电子N沟道场效应管选型:参数:BVDSS(V):-30V~900V，VGSS(V):5V~600V，ID(A):-3A~200A，PD(W):0.1W~1250W，Qg(nC):0.8~6000，封装外形有:SOT23,SOT23-3,PDFN3.3×3.3,PDFN5×6,DFN2×2,SOP08,TO252等
|
产品型号
|
品类
|
package
|
BVDSS(V)
|
ID(A)
|
VGSS(V)
|
VTH(Min.)
|
VTH(Max.)
|
RDSON(mΩ)
|
Qg(nC)
|
PD(W)
|
|
2KK5001DS
|
N-Channel MOSFET
|
SOT23-3
|
20
|
5
|
10
|
0.4
|
1
|
25
|
16.8
|
1.25
|
瑞之辰MOSFET选型表
选型表 - 瑞之辰 瑞之辰提供关于MOSFET的以下参数选型：电压：600V-1200V，连续漏极电流：10~800A，最大功率：15-686W，导通电阻：1.8mΩ@18V,225A，BVDSS：-30V-60V，VGS：±12V-±20V，ID@25℃:-10A-130A，VGS（TH）：-2.5V-2.5V，PD：1.5W-150W，Configuration：Single、Dual、Complementary
|
产品型号
|
品类
|
电压
|
连续漏极电流
|
最大功率
|
导通电阻
|
|
RNJ120R16C2
|
高功率MOSFET
|
1200V
|
90~127A
|
119W
|
13.5mΩ@18V,127A
|
P2R5B52HP2F功率MOSFET 525V，2.5A，N通道
2025/04/21 - 数据手册 本资料介绍了P2R5B52HP2F型号的525V、2.5A N通道功率MOSFET。该产品具有高电压、高速、低电容等特点，适用于多种电子设备。
SHINDENGEN - 功率MOSFET,P2R5B52HP2F,消费电子,汽车电子,工业
WAYON N沟道功率MOSFET选型表
选型表 - WAYON WAYON 提供N沟道功率MOSFET选型：VGS(V)：30，RDS(on)(Ω)@VGS=10V(max.) ：0.05-11.5，ID(A)@TA=25℃：1-69，BVDSS（V）：250-1500.
|
产品型号
|
品类
|
Description
|
Package
|
BVDSS（V）
|
RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.)
|
ID (A) @TA=25℃
|
VGS (V)
|
VGS(th) (V) (Typ.)
|
|
WMO3N25D1
|
N沟道功率MOSFET
|
N-Channel VDMOS D1
|
TO-252
|
250
|
2.1
|
3
|
30
|
1.5
|
扬杰科技SiC肖特基二极管、SiC汽车电子选型表
选型表 - 扬杰科技 扬杰科技提供以下技术参数的肖特基二极管、SiC汽车电子【Silicon Carbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement)/碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）】选型，总功率损耗PTOT(W)：31W~638W，额定电流Blocking Voltag(V)：650V~1200V；
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Blocking Voltag(V)
|
Current Rating(A)
|
Generation
|
Total Power Dissipation PTOT(W)
|
Thermal resistance RthJ-C(°C/W)
|
|
YJD106502DQG3
|
SiC肖特基二极管
|
TO-252
|
650
|
2
|
Gen3
|
42
|
3.62
|
P40B6SLK 功率MOSFET 60V，40A，N沟道
2025/04/21 - 数据手册 本资料介绍了P40B6SLK型号的60V、40A N-channel Power MOSFET。该产品具有低导通电阻、低电容、基于AEC-Q101标准，符合RoHS要求，无卤素、无铅终端。资料详细描述了产品的电气特性、绝对最大额定值、等效电路图以及特性图，并提供了应用领域的相关信息。
SHINDENGEN - 功率MOSFET,P40B6SLK,工业控制,汽车电子
评论
全部评论（36）
-
![]()
![]()
落地生根 Lv7. 资深专家 2020-10-17学习 -
![]()
![]()
豆芽 Lv8. 研究员 2019-10-26学习 -
![]()
![]()
小燕子 Lv7. 资深专家 2019-09-18支持学习 -
![]()
![]()
西小米 Lv6. 高级专家 2019-05-09学习了 -
![]()
![]()
年年1981 Lv5. 技术专家 2019-04-21学习 -
![]()
![]()
阿冰 Lv8. 研究员 2019-04-07了解了 -
![]()
用户18396822 Lv8 2019-03-18赞一个 -
![]()
![]()
小燕子 Lv7. 资深专家 2019-03-14学习了 -
![]()
![]()
古月工 Lv8. 研究员 2019-02-13学习 -
![]()
![]()
用户84786367 Lv8. 研究员 2019-02-01学习了
正在努力加载……电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论