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怎样使用时钟发生器评估板Si5338-EVB来评估Si5335的芯片功能？
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在使用Si5338-EVB板调试时，不能输出LVPECL电平格式时钟，为什么？
2017-05-05 - 技术问答 Si5338评估板默认不支持LVPECL电平格式输出，需焊接几个电阻电容器件才可以，具体可查看Si5338-EVB手册6.1节描述。
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Silicon Labs时钟发生器SI5338和si5335是否可以替换？
2018-11-28 - 技术问答 可以替换
Silicon Labs时钟发生器SI5335A、SI5335C和SI5335D的封装是否一致？能否实现pin to pin兼容？
2018-04-28 - 技术问答 Silicon Labs时钟发生器SI5335A、SI5335C和SI5335D的封装一致，完全可以 pin to pin兼容，他们主要区别是在功能不一致，SI5335A输出频率为1MHz到 350MHz，支持XTAL作为参考输入；SI5335C和SI5335D都支持差分、单端的REF参考时钟输入，其中SI5335C输出频率为1MHz到350MHz， 而SI5335D输出频率为1MHz到200MHz。
Hosonic晶振选型表
选型表 - Hosonic 鸿星（Hosonic）提供晶振/石英晶体谐振器、有源SPXO、TCXO一站式选型。频率覆盖8-200 MHz（含32.768 kHz音叉），精度±0.5-±50 ppm，负载电容6-20 pF/3.3 V可选，ESR低至20 Ω。封装齐备：1.6×1.2 mm、2.0×1.6 mm、2.5×2.0 mm、3.2×2.5 mm、5.0×3.2 mm、7.0×5.0 mm无铅SMD。车规AEC-Q200、-40~125℃工业级，适用于通信、车载、消费电子时钟与射频同步。
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产品型号
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品类
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Series
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Frequency
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Frequency Tolerance
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Frequency Stability
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负载电容/电压(Pf/V)
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ESR(Equivalent Series Resistance)
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Operating Mode
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OperatingTemperature
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Ratings
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Mounting Type
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Package/Case
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Size/Dimension
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Height-Seated(Max)
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E3SB24E004000E
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晶振
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E3SB
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24MHz
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±10ppm
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±10ppm
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18pF
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50Ohms
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Fundamental
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-30°C~85°C
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-
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Surface Mount
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4-SMD,No Lead
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0.126"Lx0.098"W(3.20mmx2.50mm)
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0.030" (0.75mm)
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晶光华（JGHC）晶振/晶体选型表
选型表 - 晶光华 无源晶振，频率范围涵盖800KHZ到300MHZ，频率温度特性，-40~125度±50ppm，最小封装尺寸SMD1612，精度最高达到±5ppm，年老化率仅3ppm；有源晶振，SPXO频率精度能达到±25ppm,TCXO频率精度可±0.5ppm，频率更高，如OSC7050 184.32mhz，电源电压至1.8V,最高5.0V，启动时间5mSec，相噪低至1ps，年老化率低至1ppm；音叉时钟晶振，RTC模块，为系统提供时钟的，32.768KHZ是最常用的频率，主要应用于有计时功能的电子产品。有源系列包括HC-49S、HC-49SSMD、M49SSMD、SMD6035、SMD5032、SMD3225、SMD2520、SMD2016、SMD1612等；无源系列包括普通晶体振荡器（SPXO)、温度补偿晶体振荡器(TCXO)、恒温晶体振荡器（OCXO)、电压控制晶体振荡器（VCXO)
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产品型号
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品类
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频率（MHZ）
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电压（V）
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温度稳定度（PPM）
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O2224000153325
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石英晶体振荡器
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24MHZ
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3.3V
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25PPM
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Puya(普冉)Flash选型表
选型表 - Puya Puya提供Flash存储器选型表，提供从1Mb至1Gb不同容量的高性能非易失性存储解决方案，适用于各类需要快速读取、代码执行与数据存储的嵌入式系统。各主要参数范围如下，存储容量：1Mb~1Gb，工作电压：1.05V～3.6V，工作温度：-40℃～+125℃，时钟频率：70MHz~133MHz，擦写次数：100k次。该系列Flash具备高读取速度、丰富的接口模式、宽电压支持与强温度适应性，适合各类对启动速度、数据可靠性及系统集成度有较高要求的嵌入式应用。
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产品型号
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品类
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封装尺寸
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Density
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Max CLK
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Vcc
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Temp
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IO Bus
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ESD
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Cycle
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Retention
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P25D09H-SSH-UR
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Flash
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SOP8(150mil)
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1Mb
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85MHz
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2.3V～3.6V
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-40℃~85℃
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Single/Dual
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2kv
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100k
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20Y
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JWT-晶威特电子振荡器选型表
选型表 - JWT JWT提供石英晶体振荡器、温补振荡器及实时时钟芯片等品类选型。石英晶体振荡器涵盖PV、YN、YM、YF、YC、YA、YNC、YMC、YFC系列，频率范围8MHz至156.253MHz，常温频偏有±10ppm、±20ppm可选，温度频偏±20ppm，电源电压1.8V或3.3V，工作温度-40℃~+85℃、-40℃~+105℃、-40℃~+125℃，封装尺寸包括1008、2016、2520、3225、5032、7050。温补振荡器有WO、WN、WM、WF系列，频率19.2MHz至38.4MHz，常温频偏1.0ppm，温度频偏±0.5ppm，电源电压1.8V或3.3V，工作温度-40℃~+85℃、-40℃~+105℃、-40℃~+125℃，封装尺寸1612、2520。实时时钟芯片为RFA032K768318和RFA032K768333，频率32.768KHz，常温频偏±10ppm，温度频偏±5ppm，电源电压1.8V或3.3V，工作温度-40℃~+85℃、-40℃~+105℃，封装尺寸3225。
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产品型号
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品类
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系列
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使用方式
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产品尺寸
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频率
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常温频偏
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温度频偏
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电源电压
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pin/pads
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工作温度
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PV4024M00018
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石英晶体振荡器
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PV Series
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SMD
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1008
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24MHZ
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±20ppm
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±20ppm
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1.8v
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4
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-40℃~+85℃
-40℃~+105℃
-40℃~+125℃
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米硅科技限幅放大器,跨阻放大器,激光驱动器,时钟数据恢复芯片,模拟芯片选型表
选型表 - 米硅科技 米硅科技提供多种光通信芯片品类选型，涵盖限幅放大器、跨阻放大器、激光驱动器、时钟数据恢复芯片及模拟芯片等。产品速率从1.25Gbps至56GBaud，支持2.5G、10G、25G、28G、4*25G、4*28G等多速率，工艺包括先进SiGe与CMOS工艺。封装形式多样，如3mmx3mm QFN 16-pin、4mmx4mm 32-pin QFN、5mmx5mm 32-pin QFN、bare die、2.56 mm × 2.56mm DSBGA(36)、TQFN-2×3-16L、3.1mm × 3.1mm DSBGA(46)、QFN 1.4mmx1.8mm、5.0mmx5.5mm FC-CSP、81-ball WLCSP/3.5mmx5.5mm、SIP等，满足不同集成需求。应用场景广泛，包括XGPON OLT、XGS PON OLT/ONU、GPON OLT、10GEPON OLT、10G ER/ZR、200G DR4、400G DR4、100G ER4、100G SR4/AOC、100G FR4/LR4、100G ER5、25G LR/ER、EML光模块等，助力光通信设备高效选型与系统升级。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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速率（bps）
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工艺
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应用场景
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MS50000
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限幅放大器
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3mmx3mm QFN 16-pin
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2.5G
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SiGe
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XGPON OLT
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Puya(普冉)EEPROM选型表
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产品型号
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品类
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封装尺寸
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Density
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Max CLK
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Supply
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Temp
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Cycle
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Retention
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ESD
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P24C02A-SSH-MIR
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EEPROM
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SOP 150mil
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2Kb
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1MHz
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1.7V～5.5V
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-40℃～105℃
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1M
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100Y
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4kv
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一款适合IEEE 1588V2的专用时钟芯片
2016-08-13 - 新产品 Silicon Labs日前推出了专门实现IEEE 1588协议的超低抖动时钟芯片SI5348，这款芯片可以满足IEEE 1588 V2组网对系统时钟极其苛刻的指标要求，完美实现IEEE 1588 V2协议。
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炬玄智能时钟芯片选型表
选型表 - 炬玄智能 炬玄智能提供时钟芯片选型，广泛应用于国民经济的各个领域，参数信息如下：功耗0.8μA~2.3μA，工作温度范围-40℃~+125℃，电压1V~5.5V，通信总线形式IIC。是工业智造、物联网、消费类电子、智能终端、网络设备、智能安防等现代电子产品不可或缺的关键基础元器件
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产品型号
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品类
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功耗
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温度范围
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封装
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电压
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通信总线形式
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时钟输出频率
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JXR260-C
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时钟芯片
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＜1.0µA
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-40℃~+85℃
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SOP8
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1V~5.5V
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IIC
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400KHz
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【技术大神】论时钟电路设计中时钟芯片的重要性
2016-09-22 - 设计经验 在时钟选型和设计中除了要特别注意时钟的参数、性能、可靠性，同时还需要注意时钟的原理设计、EMI设计以及PCB走线，只有这样才能设计出一款好的产品。
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