在一款定制的温控器产品中，主电和备电之间切换需要模拟开关，要求300mhz高频，电阻小 ，单刀双掷。

选型表  -  HALLWEE HALLWEE(霍尔微)提供以下技术参数的霍尔开关&霍尔IC&霍尔传感器选型：产品涵盖多种封装形式，包括SOT-23-3L、TO-92S、DFN1616-6L等。工作电压范围从1.6V至60V，工作电流低至0.92uA，磁场强度范围从±5Gs至±1000Gs，灵敏度最高达15mV/Gs。产品适用于工业级应用，工作温度范围从-40℃至150℃，具备低功耗、高灵敏度、宽电压范围等优势特性。最小包装量从55pcs至10000pcs不等，支持多样化的选型需求，适用于传感器、电机控制、汽车电子等工业领域。

选型表  -  WDJ WDJ提供线性稳压器、电压检测芯片、监控IC、逻辑门及运放的完整选型。核心参数：耐压5.5-45 V、输出电流50 mA-1.2 A、静态电流0.6-85 µA、PSRR 70 dB、容差0.02-2%。封装覆盖SOT23/5/89、SOP-8/14/16、SC70、SSOP-48。输出固定1.8-15 V，可调三端稳压至30 V；逻辑支持1.65-5.5 V供电；接口支持RS-232/485/3485 2.5 Mbps。全系列民用级ROHS，最小包装1k-3k，满足便携、工业及通讯设计。

选型表  -  NH NH提供触发二极管（DIAC/双向触发二极管）选型，涵盖K0900至K2600全系列型号。 产品覆盖70V-220V宽范围断态重复峰值电压（VDRM），触发电压（VBO）从80V到240V分级可选，满足不同触发电路需求。关键参数包括：触发电流50μA、通态压降2V（@1A）、静态电阻0.1kΩ、漏电流1μA、结温125℃。提供G、SA、SB、SD1多封装形式，适配各类触发电路设计。适用于可控硅触发、调光电路、马达调速、过压保护等领域，是Triac/SCR驱动的理想配套器件。

选型表  -  真茂佳 真茂佳提供汽车级（Automotive）和工业级MOSFET选型，涵盖N/P沟道、单/双通道及SiC MOSFET，电压范围20V-3300V。产品包括Auto LnM系列（如ZMSA、ZMA等）和SiC系列（如ZMCA），可选参数：VDS 20V-3300V，VGS ±10V-±30V，ID 1.4A-475A（Tc=25℃），Rds(on)低至0.4mΩ（Vgs=10V）。优势特性包括低导通电阻、高开关速度（Qg 5.3nC-750nC）、高可靠性（AEC-Q认证），封装涵盖DFN3*3、TO-263、TO-247、TOLL等，适用于电机驱动、电源转换及新能源车载系统。SiC MOSFET支持高频高温应用，适用于充电桩和光伏逆变器。

选型表  -  屹晶微电子 屹晶微电子混合IC提供以下参数信息：工作电压范围在2.5~600V，VCC启动电压范围在3.65~16.5V，VCC关闭电压范围在3.6~10.5V，启动电流范围在3~300μA，静态电流范围在0.8~17mA，有不同的开关频率，电压精度范围在0.01~0.05，有LLC谐振、半桥、反激、正激等不同的适用架构。

选型表  -  NH NH 提供二极管与整流器品类的选型，涵盖 14 类细分产品：标准整流 / 快恢复 / 高效 / 超快恢复 / 肖特基 / 开关 / 光伏 / SiC - 二极管，及标准 / 快恢复 / 普通 / 肖特基 / 逆变 / 高雷击桥式整流器,核心可选参数：反向电压 20-2000V、平均正向电流 0.2-8A、正向压降 0.25-3.5V、反向恢复时间 4-500ns、浪涌电流 0.5-900A、结温 125-200℃，另有反向漏电流 0.1uA-ULuA 等参数。封装含 R-6、DO 系列、SOD/SMA/SMB/SMC 系列、TO 系列、GBJ/GBU/KBJ 系列等 52 种类型，满足多样化电路设计需求。

选型表  -  Baluelec 频谱分析仪、信号发生器及仪器配件选型表参数：频率范围9kHz～1.8GHz,分辨率带宽1Hz～3MHz,显示平均噪声电平-158dBm,相位噪声-90dBc/Hz@30kHz,工业级

选型表  -  WINSEMI 稳先品牌提供多种高边智能开关选型。其品类包括不同封装形式（如 DFN5x6-16L、DFN5x6-14L、ESOP-8L 等）与通道数量（涵盖 1、2、4 通道）的产品。导通电阻 Ron Typ 在 25℃时，范围从 4mΩ 到 480mΩ，满足不同阻值需求。IL Nominal Current @ TA=85°C 的范围在 2A 至 15A 之间，适用于多种电流场景。工作电压为 4.5-28V 或 5-58V，最大供电电压 Vcc 可达 70V。这些高边智能开关可用于汽车电子、工业控制等对电源管理有要求的领域。

选型表  -  NH NH提供全系列MOSFET（功率管/场效应管）选型，涵盖小信号MOS、低压MOS、中压MOS、VD-MOS（高压MOS）及SJ-MOS（超结MOS）等细分品类。产品支持N沟道与P沟道，电压范围20V-800V，电流0.22A-250A，导通电阻低至0.034mΩ。封装类型丰富，包括SOT-23/89、SOP-8、TO-220C/F、TO-252/263/262/247、PDFN3×3/5×6/8×8、LFPAK5×6及TOLL等，并提供带ESD防护版本。广泛应用于电源管理、电机驱动、新能源等高效率功率开关场景。

选型表  -  荣湃半导体 荣湃提供驱动类元器件的选型。品类有单通道隔离驱动、双通道隔离驱动等细分。总通道数有 1 通道等情况，MSL 多为 LEVEL2，工作温度区间大多是 -40℃~125℃。封装形式包括 NB SOIC - 8、WB SOIC - 14 等。部分产品有 Max Date Rate 参数但数据较少。适用于对驱动隔离有需求的各类应用场景。