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- 用户_8510 (0)
- 推荐ISABELLENHUETTE的bvs-m-r0005-1.0
Rasistance value:0.5mΩ,Tolerance:1%,Rated power:5W,TCR:70ppm
资料参考https://www.sekorm.com/product/41968.html - 创建于2022-12-20
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产品型号
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品类
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封装
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电压范围(V)
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磁场阈值(Gs、mT)
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开关频率
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功耗
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KTH2501QA-SS3
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霍尔效应传感器
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SOT23
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2.7~32V
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±15Gs
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-
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-
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macrocore semiconductor SiC MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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PKG
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VDS(V)
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RDSON(mΩ)
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RDSON(mΩ)
|
ID(A)
|
Vth (V)
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CISS(pF)
|
COSS(pF)
|
CRSS(pF)
|
QG(nC)
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Operating Junction Temperature(℃)
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Qualification
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产品状态
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产品线交 leadtime
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MPQ 最小包装)
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SPQ(标准包装)
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MOQ (最小订单)
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HX1M040065D
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SiC MOSFET
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TO-247-3L
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650
|
33
|
35
|
71
|
2.6
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2200
|
196
|
12
|
105
|
-40℃~175℃
|
工业级
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量产
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3个月
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600EA
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3000EA
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600EA
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产品型号
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品类
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Package
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VDRM(V)
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IBO(uA)
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IDRM(µA)
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IT(A)
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ITSM(A)
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VBO(V)min.
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VBO(V)max.
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IH(mA)
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VT(V)
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RS(KΩ)
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TJ(°C)max.
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TJ(°C)min.
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BW150S
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高压触发二极管
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SMA
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120
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500
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10
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1
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4
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145
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165
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50
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2
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0.1
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125
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-55
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安信可科技无线模组选型表
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产品型号
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品类
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封装
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尺寸(mm)
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通信接口
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最大速率(mW)
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参考距离(m/km)
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供电电压(V)
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空中速率(Kbps/Mbps)
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天线形式
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工作温度(℃)
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NF-01-S
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2.4G模组
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DIP-8
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28.6mm*15.3mm
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SPI
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5mW
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240m
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1.9V-3.6V
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250Kbps-2Mbps
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板载天线
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-20℃~70℃
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晟矽微电子MCU选型表
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产品型号
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品类
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封装
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程序存储器(bit)
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数据存储器(bit)
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工作电压(V)
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通用 I/O(个)
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系统时钟源
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CPU最高频率(MHz)
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定时器(个)
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唤醒端口(个)
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看门狗
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MC30P6230
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8位 RISC OTP 芯片
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SOP8,DIP8,SOT23-6
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1K×14bit OTP
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50×8bit
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2.0V~5.5V
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6 个
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IRC(8M/32K)
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4MHz
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8位1个
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6 个
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WDT
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银河微电子SIC MOSFETs选型表
选型表 - 银河微电子 银河微电子SIC MOSFETs选型:PD(W)Max.:31~750,V(BR)DSS(V)Min.:650~1700,ID(A)Max.:7~142,VGS(th)(V)Max.:3.1~4,Qg(nc)Typ:9.2~245.
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产品型号
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品类
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Channel Polarity
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PD(W)Max.
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V(BR)DSS(V)Min.
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ID(A)Max.
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IGSS(uA)Max.
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VGS(th)(V)Max.
|
RDS(on)(mΩ)@18VTyp.
|
RDS(on)(mΩ)@18VMax.
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RDS(on)(mΩ)@15VTyp.
|
RDS(on)(mΩ)@15VMax.
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Qg(nc)Typ
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封装
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GSC120R014U4
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SIC MOSFETs
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N
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750
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1200
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142
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±0.1
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3.5
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14
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18
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18
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24
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245
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TO-247-4L
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HALLWEE(霍尔微)霍尔开关&霍尔IC&霍尔传感器选型表
选型表 - HALLWEE HALLWEE(霍尔微)提供以下技术参数的霍尔开关&霍尔IC&霍尔传感器选型:产品涵盖多种封装形式,包括SOT-23-3L、TO-92S、DFN1616-6L等。工作电压范围从1.6V至60V,工作电流低至0.92uA,磁场强度范围从±5Gs至±1000Gs,灵敏度最高达15mV/Gs。产品适用于工业级应用,工作温度范围从-40℃至150℃,具备低功耗、高灵敏度、宽电压范围等优势特性。最小包装量从55pcs至10000pcs不等,支持多样化的选型需求,适用于传感器、电机控制、汽车电子等工业领域。
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产品型号
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品类
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封装
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VDD
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IDD
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BOP
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BRP
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BHYS
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工作温度
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应用等级
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等级认证标准
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最小包装量
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HAL3144ESO
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单极性霍尔开关
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SOT-23-3L
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3.8-30V
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5mA
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100-160Gs
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40-130Gs
|
50Gs
|
-40℃~150℃
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工业级
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SGS
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3000
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灿阳科技瞬态电压抑制二极管&低电容TVS选型表
选型表 - 灿阳科技 该选型表提供灿阳科技瞬态电压抑制二极管&低电容TVS产品选型,涵盖SMA、SMB、SMC以及DO形态多种封装,PPK (W)范围:400~100000。EIC 提供极其广泛的分立产品选择,拥有 10,000 多个部件号和 40 多种封装类型。所有产品的制造都严格注重高质量和可靠性。
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产品型号
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品类
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封装
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PPK(W)
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VBR(V)Min.
|
VBR(V)Max.
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IT(mA)
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VRWM(V)
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IR(µA)
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IRSM(A)
|
VRSM(V)
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Maximum Junction Capacitance@ 0 Volt(pF)
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|
SMAJLCE28A
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LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
|
SMA
|
1000
|
31.1
|
35.1
|
1
|
28
|
5
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21.05
|
47.5
|
100
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LAFERT电机选型表
选型表 - LAFERT 本系列电机选型可依据功能需求、负载工况与控制方式快速匹配:根据是否需要断电保持,选择无抱闸(ATE00TT)或带抱闸(BTE00TT)电机;再依据负载扭矩和安装空间,选定对应功率(50W–1000W)与法兰尺寸(40/60/80mm)的 Lafert B20/B30/B40 系列;最后根据系统架构,选配支持 EtherCAT、PROFINET 总线或脉冲 / 模拟量控制的 XSFB 系列驱动器,确保功率裕度与控制精度。
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产品型号
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品类
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电压(V)
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功率(W)
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额定转矩(Nm)
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版本
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法兰(mm)
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驱动器型号-EtherCAT
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驱动器型号-PROFINET
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驱动器型号-脉冲/模拟量
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B20D2J3M5ATE00TT
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无抱闸电机
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220V
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50W
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0.159Nm
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Lafert B20
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40mm
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XSFB-3D0A-SA0-E30-A00
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XSFB-1D0A-SA0-P30-A00
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XSFB-1D0A-003-U30-A00
|
真茂佳MOSFET选型表
选型表 - 真茂佳 真茂佳提供汽车级(Automotive)和工业级MOSFET选型,涵盖N/P沟道、单/双通道及SiC MOSFET,电压范围20V-3300V。产品包括Auto LnM系列(如ZMSA、ZMA等)和SiC系列(如ZMCA),可选参数:VDS 20V-3300V,VGS ±10V-±30V,ID 1.4A-475A(Tc=25℃),Rds(on)低至0.4mΩ(Vgs=10V)。优势特性包括低导通电阻、高开关速度(Qg 5.3nC-750nC)、高可靠性(AEC-Q认证),封装涵盖DFN3*3、TO-263、TO-247、TOLL等,适用于电机驱动、电源转换及新能源车载系统。SiC MOSFET支持高频高温应用,适用于充电桩和光伏逆变器。
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产品型号
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品类
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Type
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Product Status
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Qualification
|
Technology
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VDS(V)
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VGS(V)
|
ID Tc=25℃(A)
|
PD
Tc=25℃(W)
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EAS L=0.1mH(mJ)
|
Vth min/typ/max (V)
|
Rds(on) Vgs=10V max(mΩ
|
Rds(on) Vgs=10V typ/max(mΩ)
|
Rds(on)
Vgs=4.5V
max(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=4.5V typ/max(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=18V typ/max (mΩ)
|
Rds(on) Vgs=15V typ (mΩ)
|
Ciss(pF)
|
Coss(pF)
|
Crss(pF)
|
Rg(Ω)
|
Qg(nC)
|
Qgs(nC)
|
Qgd(nC)
|
Package Name
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ZMCA88201M
|
Auto LnM MOSFET
|
N+P
|
MP
|
Automotive
|
RobustFET
|
20
|
±12
|
-4
|
17
|
10
|
-0.5/-0.7/-1.2
|
-
|
-
|
100
|
65/100
|
-
|
-
|
495
|
64
|
51
|
8
|
5.3
|
1.5
|
2.4
|
DFN3*3 Dual
|
电子商城
服务市场
提供蓝牙BLE芯片协议、蓝牙模块、蓝牙成品测试认证服务;测试内容分Host主机层,Controller控制器层,Profile应用层测试。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址:深圳 提交需求>
定制水冷板尺寸30*30mm~1000*1000 mm,厚度1mm~50mm,散热能力最高50KW,承压可达3MPA;液冷机箱散热能力达500W~100KW。项目单次采购额需满足1万元以上,或年需求5万元以上。
提交需求>
现货市场
