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5G小基站项目，需要一款国产的线性光耦，替换安华高的HCNR200
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长江连接器连接器选型表
选型表 - 长江连接器 长江连接器有线对板连接器，板对板连接器，线对线连接器，刺破连接器，PCI-E连接器，PIP/PIH(通孔回流焊)等产品，选型表提供压接端子，胶壳，SMT针座，DIP针座选型，间距从0.5mm~21.2mm（可定制）、电流从0.2A~50A，可与欧美、日韩等进口品牌连接器Pin to Pin AB互配同等兼容替换，型号超过30万个，填补国内多项空白，进口品牌型号停产替代及产品延伸优化开模定制。
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产品型号
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品类
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产品大类
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系列
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线缆尺寸
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线径（mm）
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电流（A）
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电压（V AC/DC）
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电阻（mΩ）
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绝缘电阻（MΩ）
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工作温度（℃）
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UL/CUL
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材质
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产品电镀
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A0501A-T
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端子
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线对板连接器
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A0501系列
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(AWG)30#-32#
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OD0.50mm(Max)
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0.8
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200
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50mΩMax
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100MΩMin
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-40℃~105℃
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E326732
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磷铜
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镀金
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阿基米德半导体IGBT功率模块/IGBT分立器件选型表
选型表 - 阿基米德半导体 阿基米德半导体推出高性能MOSFET/IGBT、Hybrid/ SiC SBD/MOSFET功率模块、分立器件产品，涵盖650V~1700V电压等级，产品主要应用于新能源汽车/光伏/储能/充电桩/数据中心/电能质量等领域。
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产品型号
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品类
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Package
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VCE(V)
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IC(A)
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AMG200L12L1H3RB
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IGBT功率模块
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ACL
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1200
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200
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杜因特碳化硅功率MOSFET选型表
选型表 - 杜因特 杜因特提供SiC碳化硅功率MOSFET选型，涵盖平面型（Planar/Planar2）技术工艺。电压等级覆盖650V-1200V，电流承载能力7A-160A，导通电阻范围16mΩ-495mΩ，栅极阈值电压2.5V-3.5V。封装形式包括TO-252、TO-247及带开尔文源极的TO-247-4L/TO-247-4LNotch四引脚封装，支持18V/-5V驱动。适配新能源汽车、充电桩、光伏逆变、储能系统及工业电源等高频高压应用。
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产品型号
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品类
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Package
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Technology
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N/P
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VDSS（V）
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ID(A)25℃
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RDS(ON)(mΩ)18V(TYP)
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RDS(ON)(mΩ)18V(MAX)
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RDS(ON)(mΩ)15V(TYP)
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RDS(ON)(mΩ)15V(MAX)
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VGS(V)(MAX)
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VGS(V)(OP)
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VGS(TH)(V)L
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VGS(TH)(V)TYP
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VGS(TH)(V)H
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Ciss(pF)(L)
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Ciss(pF)(TYP)TYP
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Ciss(pF)(H)
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Qg nC(TYP)
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Qg @VGS(V)
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G0C050N120F2A
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碳化硅功率MOSFET
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TO-247
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Planar2
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N
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1200
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55
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40
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50
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55
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70
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-10/+22
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-5/+18
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2
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3
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4.5
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1200
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1600
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2000
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60
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18
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思瑞浦（3PEAK）数据转换器选型表
选型表 - 思瑞浦 高精度DAC/ADC：4~24Bit DAC,DNL小于正负1 LSB，兼容标准的SPI、QSPI、MICROWIRE总线方式。数字式电流/功率监测器：12/16bit，在整个工作温度范围内保证无失码。多通道可配置模数/数模转换器：集成4/8/12通道12bit ADC的可灵活配置的数模/模数转换芯片。
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产品型号
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品类
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Status
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Rating
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Package
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Resolution (Bits)
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VDD(V)
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Channel
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Throughput Rate(Msps)
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INL
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Offset Error(LSB, Max)
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Gain Error(LSB)
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IDD(mA)
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TPAFE5160SI08-QP7R
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高精度ADC
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Production
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Industrial
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LQFP10X10-64
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16
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12
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8
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0.35
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±2(LSB,Max)
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±15
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±15
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52
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【选型】国产线性光耦HPC300-2用于数字逻辑的传输与变换，可替换HCNR200
2021-05-14 - 器件选型 现在越来越多项目上有国产化需求，本文介绍国产华联电子线性光耦HPC300-2，可替换HCNR200，该产品可应用于需要对信号进行高保真隔离采集的场合，如电源设备数字逻辑的传输等。
HENGTUO ELECTRONICS晶体管光耦选型表
选型表 - HENGTUO ELECTRONICS HENGTUO ELECTRONICS提供晶体管光耦选型，涵盖直流、交流及高反压型号，包括HT-817、HT-354/357、HT-3H7/3H4、HT-1008/1009及HT-851等系列。产品工作温度-55~+110℃，隔离电压达3.75KV~5KV。正向电压1.2V，发射极电压6V~7V，集电极电压覆盖80V~350V（高反压型达350V），电流传输比范围50-600。提供DIP-4L、SOP-4L、SSOP-4L、LSOP-4L及其S1紧凑型封装，适用于信号隔离、电平转换、开关控制及高压接口等场合。
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产品型号
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品类
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输入类型
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通道数目
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隔离电压
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工作温度
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正向电压
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发射极电压
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集电极电压
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电流传输比
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封装
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HT-817-C
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直流晶体管光耦
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DC
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1
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5KV
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-55~+110℃
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1.2V
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6V
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100V
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200-400
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DIP-4L
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GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表
选型表 - GOFORD GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型：VDS(V)：-250~1200，Id at 25℃(max)(A)：-200~400，PD(max)(W)：0.3-2300，Ciss(pF)：19-15870.
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产品型号
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品类
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Package
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Type
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ESD
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Vds (V)
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Vgs(V)
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Ids(A)
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Pd(W)
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Vgs(th) max (V)
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Qg(nC)
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Qgs(nC)
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Qg(nC)
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Ciss(pF)
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Crss (pF)
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Technology
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G06P01E
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Trench Mosfet
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SOT-23
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P
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ESD
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-12
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±10
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-4
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1.8
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-1
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14
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2.3
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3.6
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1087
|
253
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TRENCH
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中电国基南方SiC MOSFET选型表
选型表 - 中电国基南方 中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型，VDSS(V):650V~1700V，RDS(on):11mΩ~1000mΩ，ID:5~150A，有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。
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产品型号
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品类
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VDSS(V)
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RDS(on)(mΩ)
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GEN
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Drain Current(A) TC=25℃
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VGS(th)(V) (Typ.)
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Gate Charge Total(Qg)(nc)
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Total Power Dissipation(PTOT)(W)
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Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
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Package
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质量等级
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WM2V020065K
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SiC MOSFET
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650V
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20mΩ
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G2
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92A
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2.6V
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187nc
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312W
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175℃
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TO-247-3
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车规级
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HENGTUO ELECTRONICS高速光耦选型表
选型表 - HENGTUO ELECTRONICS HENGTUO ELECTRONICS提供高速光耦选型，涵盖单通道与双通道型号，包括HT-6N137、HT-2630、HTM系列及HT-H11L1系列。产品隔离电压为3.75KV~5KV，工作温度-40~+100℃，正向电压均为1.4V。比特率覆盖1M、5M与10M，传播延时低至0.075us~1.5us，共模抑制比达1KV/us~10KV/us。封装包括DIP-8L、DIP-8L-S1、SOP-5L、DIP-6L及DIP-6L-S1，适用于高隔离、高速信号传输场景。
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产品型号
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品类
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输入类型
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通道数目
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隔离电压
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正向电压
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工作温度
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比特率
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输出低电平传播延时
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输出高电平传播延时
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共模抑制比
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封装
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HT-6N137
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高速光耦
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DC
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1
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5KV
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1.4V
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-40~+100℃
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10M
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0.075us
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0.075us
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10KV/us
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DIP-8L
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Nidec散热风扇选型表
选型表 - NIDEC 尼得科（日本电产）DC散热风扇，高风量，高静压，高效率，低噪音，低振动。尺寸从17mm*17mm*05mm到172mm*172mm*51mm，标品可选型，性能参数可定制，可通过定制服务联系我们。
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产品型号
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品类
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厚度(mm)
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电压（V）
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转速（rpm）
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风量（CFM）
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风压
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噪音(dB)
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尺寸（mm）
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W38S12BS1B5-57
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散热风扇
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28mm
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12V
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25000rpm
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18CFM
|
895Pa
|
59.5dB
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30mm
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电子商城
服务市场
提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析，通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型，对多种系统设计方案进行评估，识别潜在散热风险。
实验室地址：深圳 提交需求>
使用FloTHERM和Smart CFD软件，提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务，热仿真技术团队专业指导。
实验室地址：深圳 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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