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- 用户_2437 (0)
- 你好,推荐蓝剑电子的型号2sd882 to-126f,看下是否能够满足需求呢?规格书:https://www.sekorm.com/doc/1421356.html
- 创建于2023-03-21
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2017-11-28 - 技术问答 一般小功率继电器既可以用三极管也可以用光耦,由于光耦驱动能力有限,大功率继电器一般用三极管来做。
瑞盟驱动芯片选型表
选型表 - 瑞盟科技 瑞盟驱动芯片选型表包含电机驱动芯片、全桥驱动芯片、全桥驱动器、线路驱动器等各类驱动芯片
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产品型号
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品类
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封装
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H桥数量
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工作电压范围
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导通电阻
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输出持续电流
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峰值电流
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接口
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MS3112
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全桥驱动芯片
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eTSSOP16L
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2
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1.8V-6V
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850mΩ
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0.8A
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1A
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IN1/IN2
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台懋MOSFET选型表
选型表 - 台懋 台懋提供MOSFET场效应管选型,涵盖N沟道、P沟道及互补型产品,电压范围20V-200V,电流0.2A-280A。关键特性包括低导通电阻(最低0.5mΩ)、多种封装(SOT-23、SOP-8L、TO-220等),支持Trench和SGT技术,部分型号具备ESD保护。N沟道型号如TM30N03D(30V/30A)适用于高效电源管理,P沟道如TM60P03D(-30V/-60A)适合负压电路,互补型如TM4614(40V/-40V)可用于H桥驱动。全系列覆盖工业、消费电子及汽车应用,提供高性价比解决方案。
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产品型号
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品类
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极性
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Technology
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ESD
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Package
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Configuration
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Vᴅs(V)
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Vɢs(V)
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Vɢs₍ᴛʜ₎(V)
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Rᴅs₍ᴏɴ₎-4.5V
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Rᴅs₍ᴏɴ₎-2.5V
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Iᴅ(A)
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Ciss(PF)
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TM01EN02I5
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MOSFET
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N=20V
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Trench
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Y
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SOT-523
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Single
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20
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±12
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0.7
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145
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225
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1
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60
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杜因特功率MOSFET选型表
选型表 - 杜因特 杜因特提供功率MOSFET分立器件及多芯片集成选型,涵盖Trench沟槽、SGT屏蔽栅、SJ-MOS超结及Planar平面技术工艺,含N沟道、P沟道及互补对管(N+P/N+N)。电压覆盖12V-1500V,电流0.18A-350A,导通电阻低至0.45mΩ,可选低Qg、带ESD防护及内置FRD特性。封装齐全:TO-252/251/220/263、SOP-8、SOT-23/89/223、DFN2×2/3×3/5×6及TOLLA等,适配开关电源、电机驱动、电池保护及高频同步整流应用。
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产品型号
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品类
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Package
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Technology
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Schottky/FRD
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)25℃
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RDS(ON)(mΩ)4.5V(TYP)
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RDS(ON)(mΩ)4.5V(MAX)
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RDS(ON)(mΩ)2.5(TYP)
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RDS(ON)(mΩ)2.5V(MAX)
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VGS(V)(MAX)
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VGS(TH)(V)L
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VGS(TH)(V)TYP
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VGS(TH)(V)H
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Ciss(pF)(TYP)TYP
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Qg nC(TYP)
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Qg @VGS(V)
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DB015NG
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MOSFET
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TO-252
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Trench
|
N
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N
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20
|
25
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13
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15
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15
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18
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12
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0.5
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0.7
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1
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515
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12
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10
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真茂佳MOSFET选型表
选型表 - 真茂佳 真茂佳提供汽车级(Automotive)和工业级MOSFET选型,涵盖N/P沟道、单/双通道及SiC MOSFET,电压范围20V-3300V。产品包括Auto LnM系列(如ZMSA、ZMA等)和SiC系列(如ZMCA),可选参数:VDS 20V-3300V,VGS ±10V-±30V,ID 1.4A-475A(Tc=25℃),Rds(on)低至0.4mΩ(Vgs=10V)。优势特性包括低导通电阻、高开关速度(Qg 5.3nC-750nC)、高可靠性(AEC-Q认证),封装涵盖DFN3*3、TO-263、TO-247、TOLL等,适用于电机驱动、电源转换及新能源车载系统。SiC MOSFET支持高频高温应用,适用于充电桩和光伏逆变器。
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产品型号
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品类
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Type
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Product Status
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Qualification
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Technology
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID Tc=25℃(A)
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PD
Tc=25℃(W)
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EAS L=0.1mH(mJ)
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Vth min/typ/max (V)
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Rds(on) Vgs=10V max(mΩ
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Rds(on) Vgs=10V typ/max(mΩ)
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Rds(on)
Vgs=4.5V
max(mΩ)
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Rds(on) Vgs=4.5V typ/max(mΩ)
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Rds(on) Vgs=18V typ/max (mΩ)
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Rds(on) Vgs=15V typ (mΩ)
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Ciss(pF)
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Coss(pF)
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Crss(pF)
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Rg(Ω)
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Qg(nC)
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Qgs(nC)
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Qgd(nC)
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Package Name
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ZMCA88201M
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Auto LnM MOSFET
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N+P
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MP
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Automotive
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RobustFET
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20
|
±12
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-4
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17
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10
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-0.5/-0.7/-1.2
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-
|
-
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100
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65/100
|
-
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-
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495
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64
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51
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8
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5.3
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1.5
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2.4
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DFN3*3 Dual
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WDJ(微电晶)电源管理器件&MOS选型表
选型表 - WDJ WDJ提供线性稳压器、电压检测芯片、监控IC、逻辑门及运放的完整选型。核心参数:耐压5.5-45 V、输出电流50 mA-1.2 A、静态电流0.6-85 µA、PSRR 70 dB、容差0.02-2%。封装覆盖SOT23/5/89、SOP-8/14/16、SC70、SSOP-48。输出固定1.8-15 V,可调三端稳压至30 V;逻辑支持1.65-5.5 V供电;接口支持RS-232/485/3485 2.5 Mbps。全系列民用级ROHS,最小包装1k-3k,满足便携、工业及通讯设计。
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产品型号
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品类
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封装
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应用等级
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欧盟强制性环保法规
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最小包装量
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耐压(V)
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电流
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AP7380-30Y-WDJ
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线性稳压器
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SOT-89
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民用级
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ROHS
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1000
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24V
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150mA
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MICRO-HYBRID MEMS红外光源选型表
选型表 - MICRO-HYBRID Micro-Hybrid提供MEMS红外光源选型。产品涵盖JSIR340与JSIR350系列,封装包括TO39与TO46,波长范围均为2μm~15μm。工作电压覆盖2.4V-4.9V,工作电流66mA-190mA,可选功率175mW-650mW,耐热电阻18Ω-40Ω,温度系数500-1200ppm/K。光源支持恒功率驱动,工作温度范围宽(540℃至850℃),寿命>100000小时,稳定性高,适用于气体检测、热分析、红外传感等应用。
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产品型号
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品类
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产品系列
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封装
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波长范围
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工作电压
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工作电流
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耐热电阻
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温度系数
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额定功率
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预计寿命
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工作温度
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推荐驱动方式
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JSIR340-4-AL-R-D6.0-0-0
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MEMS红外光源
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JSIR340-4
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TO39
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2µm~15µm
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3.4V
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190mA
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18Ω±5Ω
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1100ppm/K
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650mW
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>100000 hours at 540℃
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540℃±30℃,770℃ Max
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恒功率驱动
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士林电机断路器选型表
选型表 - 士林电机 士林电机提供以下技术参数电流范围6~1260A、工作温度-40℃~+70℃等断路器,包含直流塑壳断路器,旋钮式塑壳断路器,塑料外壳式断路器,塑壳断路器,塑胶外壳式断路器,漏电断路器,电子式塑壳断路器,小型断路器,小型漏电断路器,漏电保护断路器,塑料外壳断路器,自复式过欠压保护器,电磁式漏电断路器,继电器,隔离开关等品类。
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产品型号
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品类
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额定电流(A)
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额定电压(V)
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额定短路分段能力(KA)
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极数(P)
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脱扣器类型
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工作环境温度(℃)
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BMA250-HTDD 2P 250
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直流塑壳断路器
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250
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1000
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40
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2
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热磁式
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-30℃~+70℃
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HDK力传感器和压力传感器选型表
选型表 - HDK HDK力传感器和压力传感器选型,涵盖型号HFD-500S、HPD-100G-R02、HPD-1000G-R02等。核心参数包括测定负荷范围0~10N,直线性±3%,使用温度范围-20~60℃,尺寸5.5×3.0×1.9mm至7.0×7.0mm,压力范围0~1000kPa,驱动电流1.5mA,输出口φ3.0×6.0mm,电源电压5.0V。适用于需要精确力和压力检测的应用场景,如工业自动化和环境监测。
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产品型号
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品类
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测定负荷范围(N)
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直线性(%FS)
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使用温度范围(℃)
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尺寸(mm)
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HFD-500S
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力传感器
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0~10
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±3
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-20~60
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5.5×3.0×1.9
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awinic(艾为)马达驱动器选型表
选型表 - awinic 艾为电子提供线性马达驱动/Haptic触觉反馈驱动选型,涵盖常压马达驱动器、升压马达驱动器及免电感升压马达驱动器多品类可选。输出电压5.2V-11V,支持IIC/IIS/TRIG多模式控制,集成LCC1.0-LCC3.0线性马达校准、TikTap触觉算法及AAE智能音效增强。待机功耗0.1µA-10µA,内置SRAM 0-12kB。封装覆盖DFN 、QFN 、MSOP-10L、WLCSP及FCQFN,工作温度-40℃~125℃,适用于智能手机、可穿戴设备及车载触控反馈应用。
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产品型号
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品类
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Vout (Max) (V)
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IO Level (V)
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Istandby (µA)
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SRAM (kB)
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Package (mm)
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Temperature
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Input Signal
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LRA Calibration
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Voltage Type
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AW86204DNR
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常压马达驱动器
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Vbat
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3.3
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0.1
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0
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DFN 2X2-8L
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-40℃~125℃
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1TRIG
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LCC1.0
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Vbat
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荣湃半导体驱动选型表
选型表 - 荣湃半导体 荣湃提供驱动类元器件的选型。品类有单通道隔离驱动、双通道隔离驱动等细分。总通道数有 1 通道等情况,MSL 多为 LEVEL2,工作温度区间大多是 -40℃~125℃。封装形式包括 NB SOIC - 8、WB SOIC - 14 等。部分产品有 Max Date Rate 参数但数据较少。适用于对驱动隔离有需求的各类应用场景。
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产品型号
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品类
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总通道数
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MSL
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产品规格
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工作温度区间
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封装形式
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8211A
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单通道隔离驱动
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1
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LEVEL2
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定制
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-40℃~125℃
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NB SOIC-8
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电子商城
服务市场
可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量:100000 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址:深圳 提交需求>
现货市场
