请推荐传输距离达到3公里的蓝牙模块。

选型表  -  macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的SiC MOSFET选型:涵盖650V至2000V耐压范围，导通电阻从13mΩ至560mΩ，支持最大电流8A至125A，产品封装形式多样，包括TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L、DFN8*8、TOLL等，满足不同功率密度需求。所有型号均支持-40℃至175℃工作温度范围，部分型号通过车规级认证。具备低导通电阻、高开关速度及低栅极电荷量（QG最低13nC），优化系统效率和热性能。产品线交期为3个月，支持灵活起订量，助力客户快速量产。

选型表  -  光颉科技 提供光颉科技车用电阻,薄膜电阻,晶圆电阻,低阻,合金低阻电阻,厚膜电阻,厚膜排阻,引脚电阻,功率电阻,功能性电阻产品选型，符合AEC-Q200标准，在各种封装尺寸中制造公差范围0%~10%，TCR低至2PPM/℃，最高TCR高达600PPM/℃

选型表  -  德鸿感应 德鸿感应提供以下参数的一体成型电感选型表：电感值从0.1μH至150μH不等，误差等级包括±20%和±30%两种。所有产品均在100KHz或1000KHz测试频率、1000mV测试电压下标定，确保性能稳定可靠。直流电阻典型值介于0.35mΩ至690mΩ，最大值控制在0.45mΩ至800mΩ之间。产品额定电流范围从0.6A至70A（典型值），饱和电流则在0.9A至75A（典型值）。该系列一体成型电感适用于高频、大电流、高密度的电源管理场景，如服务器电源、显卡供电、通信设备、工业电源模块、汽车电子等。

选型表  -  GOFORD GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型：VDS(V)：-250~1200，Id at 25℃(max)(A)：-200~400，PD(max)(W)：0.3-2300，Ciss(pF)：19-15870.

选型表  -  SILICON LABS Cortex-M4/M33内核,支持蓝牙5,待机功耗1.2μA;实测网络节点100+,工作温度高达125℃,提供芯片和模块。其最新的1.4μA超低功耗蓝牙SoC EFR32BG22具有主频高达76.8MHz Cortex-M33内核,16位ADC,支持蓝牙5.2与AoX定位和蓝牙Mesh协议。

选型表  -  德鸿感应 德鸿感应提供以下参数的NR电感选型表：从1μH至4700μH的广泛电感值，产品精度等级包括±30%和±20%两种，测试条件统一为100kHz频率下300mV电压。最大直流电阻覆盖0.014Ω至8.6Ω，额定直流电流范围为0.1A至12A，饱和电流为0.1A至25A，具备良好的电流承载能力和抗饱和特性。该系列电感采用磁屏蔽结构，适用于高功率密度、高可靠性要求的场景，如DC-DC转换器、POL电源、车载电子设备、工业电源模块、通信基站电源、服务器电源等。

选型表  -  NCE NCE（新洁能）提供如下IPM、PIM的技术选型，IC(A) Tj=100℃范围：+15~+820；5.5V VTH-Typ；VCE(sat)(V) @VGE=15V Typ范围：+1.25~+2；VCE(sat)(V) @VGE=15V Max范围：+1.5~+2.4；1~40KHz Switching Frequency，Tsc(us)范围：+5~+10；Voltage（V)范围：+650~+1700.....新洁能的IGBT Module通过工艺与器件结构优化，以先进的IGBT芯片技术为基础，以保证产品工作效率较好；同时可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。

选型表  -  灿阳科技 该选型表提供灿阳科技瞬态电压抑制二极管&低电容TVS产品选型，涵盖SMA、SMB、SMC以及DO形态多种封装，PPK (W)范围：400~100000。EIC 提供极其广泛的分立产品选择，拥有 10,000 多个部件号和 40 多种封装类型。所有产品的制造都严格注重高质量和可靠性。

选型表  -  银河微电子 银河微电子IGBT功率模块选型：涵盖650V/1200V两大电压等级，电流覆盖10A至600A。产品包含2-pack半桥、PIM功率集成、1-pack单管及6-pack全桥等细分品类，提供S1/S2/S4/E1/E2/C1/C2/C3等多封装选项。适用于工业变频、新能源、电源等应用场景，满足从中小功率到中大功率的多样化设计需求。

选型表  -  思瑞浦 低压差、高PSRR，低功耗，低噪，最大输出电流（mA）：150~3000，更有DDR端供电专用LDO，具有灌、拉电流能力。