压敏电阻的故障有哪些表现形式？
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创建于2018-10-19
10个回答
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- 用户_9686 (0)
压敏电阻在超寿命使用或异常使用下，可能出现失效情形，常见的失效模式有两种：
1、开路模式。开路模式主要发生在mov流过远远超出自身承受的浪涌电流时，通常表现为氧化锌压敏电阻本体炸裂，但这种模式不会引起燃烧现象。
2、短路模式。短路模式大体上可分为老化失效和暂态过电压破坏两种类型。
高质量的压敏电阻，可提高抗失效能力，相关推荐型号如下：
https://www.sekorm.com/doc/680916.html
《【选型】LITTELFUSE（力特）压敏电阻-金属氧化物压敏电阻（MOV）选型指南》
- 创建于2018-10-19
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- 道道 Lv7 . 资深专家 (0)
- 外观有破损，膨胀，击穿，电气性能有短路，断路等
- 创建于2018-10-23
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- 无源小王子 Lv7 . 资深专家 (0)
- 压 敏电阻器的失效方式有3种:（1）劣化，表现为漏电流增大,压敏电压显著下降,直至为零；（2）炸裂，若过电压引起的浪涌能量太大,超过了所选用的压敏电 阻器极限承受能力,则压敏电阻器在抑制过电压时将会发生陶瓷炸裂现象；（3）穿孔，若过电压峰值特别高,导致压敏电阻器陶瓷瞬间发生电击穿,表现为穿孔。
- 创建于2018-10-23
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- 钱钱 Lv6 . 高级专家 (0)
- 浪涌，瞬间过流，过载都有可能造成损坏
- 创建于2018-10-23
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- MR.XU Lv7 . 资深专家 (0)
- 炸裂，电压损伤
- 创建于2018-10-22
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- 小k Lv6 . 高级专家 (0)
- 开路失效和短路失效
- 创建于2018-10-20
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- 阿呆 Lv7 . 资深专家 (0)
- 短路和断路都有，大多数损坏表现为短路
- 创建于2018-10-20
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- 电阻 Lv6 . 高级专家 (0)
- 应该主要是EOS，过流导致发热击穿
- 创建于2018-10-20
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- 我就是我 Lv7 . 资深专家 (0)
- 一般表现为开路，就是功率过大导致击穿
- 创建于2018-10-19
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- vivid Lv4 . 资深工程师 (0)
- 1）劣化，表现为漏电流增大，压敏电压显著下降，直至为零；
2）炸裂，若过电压引起的浪涌能量太大，超过了所选用的压敏电阻器极限承受能力，则压敏电阻器在抑制过电压时将会发生陶瓷炸裂现象；
3）穿孔，若过电压峰值特别高，导致压敏电阻器陶瓷瞬间发生电击穿，表现为穿孔。 - 创建于2018-10-19
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产品型号
|
品类
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输入电压(V)
|
输出电流
|
反馈电压(V)
|
静态电流
|
开关频率(KHZ)
|
|
JW5392SOTI#TR
|
降压转换器
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4.5~18
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2A
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0.8
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150uA
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600
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产品型号
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品类
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最小输入电压（v）
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最大输入电压（v）
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连续输出电流（A）
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上管道通电阻（mΩ）
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下管道通电阻（mΩ）
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反馈电压（v）
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轻载工作模式
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静态电流
（uA）
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开关频率
（Hz)
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封装和管脚数
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SCT2130QFTAR
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降压DCDC
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2.8
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6
|
3
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25
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20
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0.6
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FPWM
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1000
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2.1M
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QFN-8L
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产品型号
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品类
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VDRM (V) @IDRM=5uA
|
IDR (uA) @VDRM
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VBO (V) @IBO Min.
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VBO (V) @IBO Max.
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@IBO (uA)
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VT (V) max.
|
@IT (A)
|
Rs (kΩ) min.
|
TJ (℃)
|
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K0900G
|
触发二极管
|
70
|
1
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80
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97
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50
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2
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1
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0.1
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125
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产品型号
|
品类
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电流（A）
|
电压（V）
|
绝缘电阻（mΩ）
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接触电阻（mΩ）
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引脚（PIN）
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耐电压（V）
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XB-BC-16-3P180-R1255
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弹片连接器
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1A/3A
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12V DC
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100mΩ
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30mΩ
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3PIN
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500V AC
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|
产品型号
|
品类
|
极性
|
Technology
|
ESD
|
Package
|
Configuration
|
Vᴅs(V)
|
Vɢs(V)
|
Vɢs₍ᴛʜ₎(V)
|
Rᴅs₍ᴏɴ₎-4.5V
|
Rᴅs₍ᴏɴ₎-2.5V
|
Iᴅ(A)
|
Ciss(PF)
|
|
TM01EN02I5
|
MOSFET
|
N=20V
|
Trench
|
Y
|
SOT-523
|
Single
|
20
|
±12
|
0.7
|
145
|
225
|
1
|
60
|
NH MOS选型表
选型表 - NH NH提供全系列MOSFET（功率管/场效应管）选型，涵盖小信号MOS、低压MOS、中压MOS、VD-MOS（高压MOS）及SJ-MOS（超结MOS）等细分品类。产品支持N沟道与P沟道，电压范围20V-800V，电流0.22A-250A，导通电阻低至0.034mΩ。封装类型丰富，包括SOT-23/89、SOP-8、TO-220C/F、TO-252/263/262/247、PDFN3×3/5×6/8×8、LFPAK5×6及TOLL等，并提供带ESD防护版本。广泛应用于电源管理、电机驱动、新能源等高效率功率开关场景。
|
产品型号
|
品类
|
Channel
|
Package
|
With ESD
|
Config.
|
VDS(V) max.
|
VGS(V) max.
|
ID(A) max.
|
VGS(th)(V) min.
|
VGS(th)(V) max.
|
Rds(on)(mΩ) @Vgs=10V typ.
|
Rds(on)(mΩ) @Vgs=10V max.
|
Ciss(pF) typ.
|
Coss(pF) typ.
|
Crss(pF) typ.
|
Qg(nC) typ.
|
Qgs(nC) typ.
|
Qgd(nC) typ.
|
TJ (℃)
|
Status
|
|
2N7002K
|
小信号MOS
|
N
|
SOT-23
|
ESD
|
Single
|
60
|
±20
|
0.34
|
1
|
2.5
|
2200
|
4000
|
40
|
30
|
10
|
3.7
|
1
|
2.6
|
150
|
Active
|
高特-齐纳二极管选型表
选型表 - 高特 高特半导体齐纳二极管/稳压二极管选型器，Vz稳定电压涵盖1.95V~78.75V；最小稳压电流IZK(mA)：0.25mA；IZT(mA)：1.7~20mA；ZZK(Ω)动态电阻5Ω~2000Ω。
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产品型号
|
品类
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Device
Marking
|
Vz@lzT
(Volts)(Min)
|
Vz@lzT(Volts)(Nom)
|
Vz@lzT(Volts)(Max)最大稳定电压
|
IZT(mA)额定电流
|
Zzt@lzt
(Ω)
Max
|
lzk
(mA)稳压最小电流
|
Zzk@lzk
(Ω)
Max动态电阻
|
IR@VR
(uA)
Max反向漏电电流，越小越好
|
VR
(Volts)
|
|
MM5Z2V0B
|
齐纳二极管
|
+5
|
1.95
|
2.0
|
2.05
|
5
|
100
|
1
|
564
|
120
|
0.5
|
真茂佳MOSFET选型表
选型表 - 真茂佳 真茂佳提供汽车级（Automotive）和工业级MOSFET选型，涵盖N/P沟道、单/双通道及SiC MOSFET，电压范围20V-3300V。产品包括Auto LnM系列（如ZMSA、ZMA等）和SiC系列（如ZMCA），可选参数：VDS 20V-3300V，VGS ±10V-±30V，ID 1.4A-475A（Tc=25℃），Rds(on)低至0.4mΩ（Vgs=10V）。优势特性包括低导通电阻、高开关速度（Qg 5.3nC-750nC）、高可靠性（AEC-Q认证），封装涵盖DFN3*3、TO-263、TO-247、TOLL等，适用于电机驱动、电源转换及新能源车载系统。SiC MOSFET支持高频高温应用，适用于充电桩和光伏逆变器。
|
产品型号
|
品类
|
Type
|
Product Status
|
Qualification
|
Technology
|
VDS（V）
|
VGS（V）
|
ID Tc=25℃（A）
|
PD
Tc=25℃（W）
|
EAS L=0.1mH（mJ）
|
Vth min/typ/max （V）
|
Rds(on) Vgs=10V max（mΩ
|
Rds(on) Vgs=10V typ/max（mΩ）
|
Rds(on)
Vgs=4.5V
max（mΩ）
|
Rds(on) Vgs=4.5V typ/max（mΩ）
|
Rds(on) Vgs=18V typ/max （mΩ）
|
Rds(on) Vgs=15V typ （mΩ）
|
Ciss（pF）
|
Coss（pF）
|
Crss（pF）
|
Rg（Ω）
|
Qg（nC）
|
Qgs（nC）
|
Qgd（nC）
|
Package Name
|
|
ZMCA88201M
|
Auto LnM MOSFET
|
N+P
|
MP
|
Automotive
|
RobustFET
|
20
|
±12
|
-4
|
17
|
10
|
-0.5/-0.7/-1.2
|
-
|
-
|
100
|
65/100
|
-
|
-
|
495
|
64
|
51
|
8
|
5.3
|
1.5
|
2.4
|
DFN3*3 Dual
|
杜因特碳化硅功率MOSFET选型表
选型表 - 杜因特 杜因特提供SiC碳化硅功率MOSFET选型，涵盖平面型（Planar/Planar2）技术工艺。电压等级覆盖650V-1200V，电流承载能力7A-160A，导通电阻范围16mΩ-495mΩ，栅极阈值电压2.5V-3.5V。封装形式包括TO-252、TO-247及带开尔文源极的TO-247-4L/TO-247-4LNotch四引脚封装，支持18V/-5V驱动。适配新能源汽车、充电桩、光伏逆变、储能系统及工业电源等高频高压应用。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Technology
|
N/P
|
VDSS（V）
|
ID(A)25℃
|
RDS(ON)(mΩ)18V(TYP)
|
RDS(ON)(mΩ)18V(MAX)
|
RDS(ON)(mΩ)15V(TYP)
|
RDS(ON)(mΩ)15V(MAX)
|
VGS(V)(MAX)
|
VGS(V)(OP)
|
VGS(TH)(V)L
|
VGS(TH)(V)TYP
|
VGS(TH)(V)H
|
Ciss(pF)(L)
|
Ciss(pF)(TYP)TYP
|
Ciss(pF)(H)
|
Qg nC(TYP)
|
Qg @VGS(V)
|
|
G0C050N120F2A
|
碳化硅功率MOSFET
|
TO-247
|
Planar2
|
N
|
1200
|
55
|
40
|
50
|
55
|
70
|
-10/+22
|
-5/+18
|
2
|
3
|
4.5
|
1200
|
1600
|
2000
|
60
|
18
|
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|
产品型号
|
品类
|
封装形式
|
负载电压(V)
|
连续通态电流(A)
|
导通电阻(Ω)
|
通道数
|
工作温度(℃)
|
介质耐压(VRMS)
|
安规认证
|
|
HSSR-DA01
|
MOS继电器
|
DIP8/SMD8(9.6x6.4x3.6)
|
400V
|
0.1A
|
25Ω
|
2NO*
|
﹣40~85℃
|
5000Vrms
|
VDE、UL、CQC
|
电子商城
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华丰史密斯互连可快速为客户提供高可靠性，大电流，低电阻，高使用寿命连接器定制服务，主要应用市场为航空航天（包括eVTOL等），铁路，高要求工业（包括AGV,机器人等）。
提交需求>
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现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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