0欧姆电阻可以承受多少电流？

设计电路经常要用0欧姆电容，一般根据线路电流来选择电阻额定功率，那0欧姆一般选多少合适？

500mA可以用0402封装么

选型表  -  必易微 必易微提供以下技术参数型号为PN级的电机驱动芯片产品选型，耐压范围(V)：+27~+650；最大输出电流范围(A)：+1~+3.6；导通阻抗范围(mΩ)：+500~+1600，具有PWM/模拟电阻、IN1/IN2/IN3/IN4多级调速方式，以及IN/SDN、HIN*/LIN*控制方式，拥有Reverse Voltage/Close Loop/Slope Control/RMIN/STOP/OTP/OCP/FG Short Protection特性，必易微电机驱动芯片具有SOP-8, TSSOP-8, MSSOP-8, SOT23-8等多种封装可选，具体下单型号用户可参考产品数据手册。

选型表  -  macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的SiC MOSFET选型:涵盖650V至2000V耐压范围，导通电阻从13mΩ至560mΩ，支持最大电流8A至125A，产品封装形式多样，包括TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L、DFN8*8、TOLL等，满足不同功率密度需求。所有型号均支持-40℃至175℃工作温度范围，部分型号通过车规级认证。具备低导通电阻、高开关速度及低栅极电荷量（QG最低13nC），优化系统效率和热性能。产品线交期为3个月，支持灵活起订量，助力客户快速量产。

选型表  -  可锐 可锐提供以下多层片式压敏电阻的参数选型：包含0402、0603、0805、1206、1210五种标准贴片封装，适用于不同空间与防护等级的电路设计。交流工作电压范围覆盖3.5V至75V，直流工作电压范围覆盖5V至100V。压敏电压（@1mA DC）范围从19V至120V，限制电压（@8/20μs 1A）范围从30V至250V。额定脉冲耐量（@10/1000μs）从0.05J至1.5J，峰值浪涌电流（@8/20μs）最高可达300A，电容值（@1MHz 0.5V）最低至2.5pF，兼顾高速信号线路的保护需求。

选型表  -  华轩阳电子 华轩阳电子提供全面的二极管（包含TVS/ESD保护二极管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、超快恢复二极管、整流桥等）选型。产品线覆盖静电放电（ESD）保护二极管，细分单/双向、1-5通道，工作电压涵盖3.3V至60V，电容低至0.25pF，峰值电流高达200A，封装包括SOD系列、SOT系列、DFN系列等。还提供各类肖特基二极管、开关/稳压/超快恢复二极管及整流桥，耐压/整流电压从20V至1700V，电流从毫安级至10A级别。广泛用于端口保护、电源管理、整流、信号调理、防反接、浪涌抑制等消费及工业电子应用。

选型表  -  芯洲科技 芯洲科技提供丰富多样的降压DCDC选型，涵盖多种输入电压范围（2.8V~100V）、输出电流（0.6A~12A）及轻载工作模式（PFM/PSM/FPWM等）。产品具备低静态电流（低至20uA）、低导通电阻（低至15mΩ）等优势特性，反馈电压范围0.6V~1.2V，开关频率从100KHz到2.1MHz可调。封装形式多样，包括QFN、SOT、TSOT、ESOP、DFN等。

选型表  -  可锐 可锐提供以下规格的热敏电阻选型：采用0402、0603、0805三种标准贴片封装。电阻值（R25）覆盖10KΩ、47KΩ、100KΩ三个常用阻值，阻值精度提供±1%与±5%两种等级，满足从精密测温到常规温度补偿的精度要求。B常数（25/50℃或25/85℃）范围从3380K至4250K，B常数精度分为±1%与±3%两类。产品在25℃下的最大允许工作电流为0.1mA至0.32mA。热时间常数随封装尺寸不同在3秒至5秒以内。耗散系数为1mW/℃或2mW/℃。额定功率为100mW或200mW，具备良好的热响应速度与自热控制能力。

选型表  -  兆讯 兆讯掌握射频无源芯片和SIP芯片的核心工艺与设计技术。拥有业界专业的模型算法，工艺开发，封装测试等方面的专家团队，能批量提供包括基于IPD，LTCC，MEMS，陶瓷混压板材等工艺设计开发的滤波器、功分器、耦合器、3dB电桥、巴伦、双工器、多工器、滤波器组件、射频模块等产品，频率覆盖10M~100GHz。产品尺寸小、集成度高，广泛应用于无线通讯、导航、雷达、无人机等领域。

选型表  -  光颉科技 提供光颉科技车用电阻,薄膜电阻,晶圆电阻,低阻,合金低阻电阻,厚膜电阻,厚膜排阻,引脚电阻,功率电阻,功能性电阻产品选型，符合AEC-Q200标准，在各种封装尺寸中制造公差范围0%~10%，TCR低至2PPM/℃，最高TCR高达600PPM/℃

选型表  -  凌存 凌存提供高性能硅电容器（Si-Cap）选型，涵盖从0.2pF到10nF的宽容量范围和从10V到200V的耐压规格。该系列以超小型化（最小尺寸0.25 * 0.25mm）为显著优势，提供高精度（如±0.05pF/±0.1pF/±5%）和标准（±20%）多种容量公差等级，满足对尺寸、精度和稳定性有严苛要求的应用。产品尺寸（封装）覆盖0.25mm、0.38mm、0.5mm、0.63mm、0.76mm、0.889mm、1mm等方形规格以及条形（如1.2 * 0.35mm、4 * 0.4mm、5 * 0.4mm）规格。适用于高密度集成的射频电路、毫米波模块、传感器、滤波网络、去耦和高可靠性微系统等高精尖领域。

选型表  -  高特 高特ESD Protection Device，符合IEC61000-4-2 ESD Contact±8KV, Air ±15KV标准；符合IEC61000-4-4FET 40A, 5/50ns标准；符合IEC61000-4-5 Lightning 24A, 8/20us标准；多工作电压段供选择：2.5V-36V；可提供单路、双路、四路、五路及六路保护产品；超低电容，最低电容达0.2pF；超低反向漏电流，最低反向漏电流1nA；全线采用微型贴片封装外形，最小外形为DFN0603(0.6*0.3*0.3mm)；全线产品符合RoHS、无卤、Reach标准。