【产品】55V/94A功率 MOSFET，静态导通电阻为2.5mΩ

选型表  -  GOFORD GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型：VDS(V)：-250~1200，Id at 25℃(max)(A)：-200~400，PD(max)(W)：0.3-2300，Ciss(pF)：19-15870.

选型表  -  macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的SiC MOSFET选型:涵盖650V至2000V耐压范围，导通电阻从13mΩ至560mΩ，支持最大电流8A至125A，产品封装形式多样，包括TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L、DFN8*8、TOLL等，满足不同功率密度需求。所有型号均支持-40℃至175℃工作温度范围，部分型号通过车规级认证。具备低导通电阻、高开关速度及低栅极电荷量（QG最低13nC），优化系统效率和热性能。产品线交期为3个月，支持灵活起订量，助力客户快速量产。

选型表  -  VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域

选型表  -  台懋 台懋提供MOSFET场效应管选型，涵盖N沟道、P沟道及互补型产品，电压范围20V-200V，电流0.2A-280A。关键特性包括低导通电阻（最低0.5mΩ）、多种封装（SOT-23、SOP-8L、TO-220等），支持Trench和SGT技术，部分型号具备ESD保护。N沟道型号如TM30N03D（30V/30A）适用于高效电源管理，P沟道如TM60P03D（-30V/-60A）适合负压电路，互补型如TM4614（40V/-40V）可用于H桥驱动。全系列覆盖工业、消费电子及汽车应用，提供高性价比解决方案。

选型表  -  ZOEYGO ZOEYGO（中逸光）模块电源，电压量程范围±24VDC~48V，电流量程范围为0.063A~60A，最大功率为1W~750W，转换效率皆可超过60%，应用等级皆为工业级，全部含有ROHS认证

选型表  -  格瑞宝电子 格瑞宝电子提供SGT Channel MOSFET选型，覆盖25-250 V N沟与-100 V P沟，4.5-20 V驱动，0.8-1400 mΩ超低RDS(on)，3-425 A大电流，可选ESD保护；封装含PDFN3.3×3.3/5×6、TO-220/263/247、TOLL/TOLT、SOT-23/89、SOP8等，适配电机驱动、电源同步整流、DC-DC、快充及汽车负载开关。

选型表  -  爱浦电子 提供爱浦电子：AC/DC模块电源：中小功率（2-30W）高性能标准电压（5V、12V）的模块；DC/DC模块电源：小功率（3-20W）、中大功率 （30-700W）、微功率（1-2W）模块，提供9-36Vdc、1872Vdc的超宽电压输入；光伏模块电源：BK系列是200-1500VDC超高电压输入高效率高可靠性高隔离电压的 DC-DC 开关稳压模块电源；隔离收发模块。

选型表  -  WAYON WAYON（维安半导体）提供 Trench P Channel Power MOSFET（沟槽P沟道功率MOSFET）/SGT P Channel Power MOSFET（SGT P沟道功率MOSFET）/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET（SGT N沟道功率MOSFET）/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型，Type：N/P，ESD：NO/YES，VDS(V)：-150~300V，Vgs Max(v)：±10~±20V，VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.

选型表  -  AM AM(安美半导体)场效应晶体管选型：小信号MOSFET/场效应管完整选型，覆盖20-100 V、0.3-6.5 A、16-4000 mΩ，N/P沟、N+N/P+P双沟及ESD保护可选；封装囊括SOT23/89/523/563、DFN2X2-6L、SOT23-6L等，Vth 0.6-2 V，Qg低至0.58 nC。优势低Rds、低Qg、±8-20 V栅压兼容，适配负载开关、电池保护、电平转换、高速信号切换。

选型表  -  macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的碳化硅肖特基二极管选型:涵盖650V、1200V、1700V耐压范围，正向电流从1A至80A，工作温度范围-55℃至175℃，所有型号均通过工业级认证。具备低正向压降（1.2V至1.48V）和高浪涌电流能力（最高570A），产品封装包括TO-220、TO-247、TO-252、SOD123、DFN等，满足不同功率密度需求，支持多种封装形式，包括隔离封装、全包封装及表面贴装。产品线交期为3个月，最小起订量灵活，支持大规模量产。

选型表  -  萨瑞微电子 N型或P型低Rds(ON)阻抗选择，开关电压转换低功耗，符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD Level 3，UL 易燃性等级 94V-0，Leadless Chip设计降低了结电容，6针或8针选择适合多功能产品应用，表贴封装，先进的沟槽电池设计，极低的阈值电压，ESD保护，低 RDS(ON) 和 FOM，具备优异的稳定性和均匀性。

选型表  -  瑞之辰 瑞之辰提供关于同步整流芯片的以下参数选型。工作模式：DCM、DCM+QR、CCM+DCM+QR；MOSFET：内置、外置，MOSFET耐压：≧40V、≧60V、≧80V；RDS(ON)：5mΩ-28mΩ，最大输出电流：<8A、24A-3.4A