【产品】低导通电阻N沟道碳化硅MOSFET ASC60N900MT3漏源电压为900V，连续漏极电流为60A
ASC60N900MT3是爱仕特自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。另外其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括系统效率最高，工作频率更快，功率密度增加，电磁干扰能力降低，以及减少系统体积大小。其采用TO247-3封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为900V，连续漏极电流为60A。
产品外观和内部示意图
产品特点：
●低电容高速开关
●高阻断电压，低导通电阻RDS(on)
●易于并联和驱动简单
●符合ROHS标准，无卤素
产品应用：
●电动汽车充电
●DC/DC转换器
●开关电源
●不间断电源
●太阳能光伏逆变器
最大额定参数(Tc=25℃)：
电气特性(TJ=25℃，除非另有说明)：典型性能-静态
典型性能-动态：
热特性：
订购信息：
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产品型号
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品类
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Status
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Temperature Range(℃)
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Voltage（V）
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Package
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RON(mohm)
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ASC60N900MT3
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SiC Chips
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Product
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-40~175℃
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900V
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TO-247-3
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36m ohm
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