在电子产品设计与测试(EPDT)的这次独家视频访谈中,EPC的首席执行官兼联合创始人亚历克斯·利多博士讨论了氮化镓(GaN)技术是如何转变电力电子领域的景观。
他强调了人工智能服务器、机器人技术和太空应用的爆炸性增长,氮化镓在效率、功率密度和紧凑尺寸方面的优势,使得全新的系统架构成为可能。利多博士还分享了他对EPC专注于高性能市场的战略视角,公司的无晶圆厂创新模式,以及正在进行的向集成GaN集成电路转变,这将定义下一个十年的电力转换。
本文由转载自EPC官网,原文标题为:未来氮化镓技术的前景 —— 采访EPC首席执行官Alex Lidow,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
2025-06-06 - 原厂动态 在 5 月初落幕的 2025 年欧洲电力电子系统及元器件(PCIM)展会上,EPC 创始人兼首席执行官 Alex Lidow 博士发表演讲,展示了氮化镓(GaN)重新定义高性能电源转换设计的可能性。他的演讲重点介绍了新的氮化镓技术,聚焦于高功率密度、高效率的DC-DC 转换器,体现了这一技术如何适用于 48V 至 12V 的稳压电源。
2025-06-10 - 原厂动态 EPC2366在所有关键指标上实现领先目前行业中的领先方案——硅基MOSFET,以及其他氮化镓器件竞品。这款革命性产品EPC2366采用2.6x3.3mm QFN超紧凑封装,独创的背部露铜设计提高了散热效率。0.8mΩ的超低导通电阻,加上360A脉冲电流能力,直接刷新了功率密度的上限。
2022-05-27 - 原厂动态 EPC的GaN FET热计算器,根据输入设定和计算模型可以得到每个工作器件和环境温度的变化并生成详细报告,其器件模型库允许进行添加和改进,能够有效帮助工程师更好的设计、评估和优化电路板。本文介绍了有关GaN FET热计算器的功能和应用价值。
2024-10-24 - 技术探讨 本文介绍氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用。
2025-07-28 - 技术探讨 高频电机驱动是电机应用的新前沿,可实现卓越的效率、性能和紧凑性。氮化镓技术能完美应对高频电机驱动的设计挑战。本文将探讨高频电机驱动器的实用价值,以及氮化镓技术的独特能力,这些特性使其能满足对电机驱动性能的复杂要求。
2024-10-24 - 技术探讨 本文作者为EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow,为“氮化镓驱动人形机器人”系列文章的第二篇,讲述氮化镓器件在激光雷达系统中的重要作用,以及如何为人形机器人带来更加优秀的视觉感知能力。
2025-03-05 - 设计经验 凭借更高的开关速度、更低的导通电阻以及更小的体积,氮化镓器件在提高效率、缩小尺寸和降低功耗方面展现出优势——成本效益高的氮化镓二极管激光驱动器,能够产生脉冲宽度为几纳秒、峰值电流为数十至数百安培的电流脉冲,逐渐成为了高性能电子设备的理想选择。
2025-07-11 - 应用方案 在2025年EE Power Asia展上,EPC的应用工程师展示了突破性的服务器电源设计方案——利用EPC开发的氮化镓场效应晶体管,满足AI数据中心的严苛需求。
2020-07-05 - 设计经验 本文中EPC分享了关键的设计技术,从而发挥基于氮化镓器件的设计的最高性能。讨论了要注意栅极驱动器的要求,详细介绍了被证实为最佳的布局技术,可减少过冲和提高效率,重点介绍了关键的PCB设计技术,接着展示了一种简单且不昂贵的散热系统,最后证明了通过采用简单的布局技术并利用eGaN器件固有的性能优势,尽管eGaN器件的开关速度更快速,它的EMI比MOSFET器件更低。
2024-10-24 - 技术探讨 本文作者为EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow,为“氮化镓驱动人形机器人”系列文章的第三篇,讲述氮化镓器件在人工智能系统中的重要作用,展示了人工智能浪潮如何为人形机器人带来新机遇。
2025/02/18 - 数据手册 本资料详细介绍了EPC2207增强型功率晶体管,一款基于氮化镓(Gallium Nitride)技术的功率器件。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高开关频率和低开关损耗等特性,适用于DC-DC转换器、BLDC电机驱动、同步整流等应用。
EPC - 增强型功率晶体管,EPC2207,D类音频,同步整流,无线电源,多级AC/DC电源,机器人技术,DC-DC转换器,BLDC电机驱动,太阳能微型逆变器
2023-06-14 - 技术探讨 氮化镓(GaN)是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体,用于生产功率器件以及射频元件和发光二极管(LED)。氮化镓器件与硅器件相比,有哪些明显优势?它的高开关频率能为哪些应用领域带来益处?本文中EPC将为大家详细介绍。
2020-11-07 - 新技术 氮化镓(GaN)的问世和应用地逐渐淘汰了目前使用的硅基材料。随着硅材料的MOSFET接近其理论极限,已很难继续改进。同时氮化镓在朝向理论性能边界稳步发展,该性能边界是当前的MOSFET的6000倍。EPC研发的eGaN FET可逐渐代替硅基晶体管,性能上大幅提升。
2022-08-06 - 设计经验 LGA和BGA封装提供了充分利用eGaN技术能力所必需的低寄生电感、小尺寸和出色的热性能。通过适当的制造技术,使用eGaN器件的组件将具有高产量和长而可靠的工作寿命。本文EPC将就LGA和BGA器件封装、正确的焊点大小和回流曲线等展开叙述,这些都是关键的设计考量因素。
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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