至信微SiC功率器件在5G通信服务器电源＆数据中心＆工业电源领域的应用
数据中心基础设施需要以尽可能低的成本提供高效、可靠的电力。在5G通信服务器电源和工业电源中采用SiC功率器件，通过低开关损耗和低导通损耗带来高效率，并提供高功率密度，可以降低服务器消耗的能量还能节省冷却成本，并且可以提升系统可靠性。
至信微建议用料规格:
● SiC SBD : 650V/10A~20A：SDC10065T2AS、SDC20065T2AS
● SiC MOSFET: 650V/25mΩ & 650V/40mΩ ：SMC25N065DT4AS、SMC40N065T4AS
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产品型号
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品类
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Package
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VCE(V)
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IC(A)
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AMG200L12L1H3RB
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IGBT功率模块
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ACL
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1200
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200
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长晶科技二极管选型表
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产品型号
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品类
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Status
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PD(mW/W)
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IF(mA)
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VR(V)
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VF(V)
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IR(uA)
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Package
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2CZ4007_SOD-123
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普通整流二极管
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Active
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350mW
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1000
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1000
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1.1
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5
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SOD-123
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华南微SiC Mosfet选型表
选型表 - 华南微 华南微提供SiC Mosfet选型，覆盖650V至3300V电压范围，封装包括TO-247-4、TO-247-3、TO-252、TO-3PF等。核心优势为高电流（150A）和低导通电阻（13mΩ），细分品类涵盖高压（1200V/1700V/3300V）和中低压型号，适用于工业电源、电动汽车等高功率场景。
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产品型号
|
品类
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Blocking Voltage
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RDS(ON)at 25℃
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Current Rating
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Package
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SC3M0015065D
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SiC Mosfet
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650V
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15mΩ
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120A
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TO-247-3
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GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表
选型表 - GOFORD GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型：VDS(V)：-250~1200，Id at 25℃(max)(A)：-200~400，PD(max)(W)：0.3-2300，Ciss(pF)：19-15870.
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产品型号
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品类
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Package
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Type
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ESD
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Vds (V)
|
Vgs(V)
|
Ids(A)
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Pd(W)
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Vgs(th) max (V)
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Qg(nC)
|
Qgs(nC)
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Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
Crss (pF)
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Technology
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G06P01E
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Trench Mosfet
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SOT-23
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P
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ESD
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-12
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±10
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-4
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1.8
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-1
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14
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2.3
|
3.6
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1087
|
253
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TRENCH
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产品型号
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品类
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VDSS(V)
|
RDS(on)(mΩ)
|
GEN
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Drain Current(A) TC=25℃
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VGS(th)(V) (Typ.)
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Gate Charge Total(Qg)(nc)
|
Total Power Dissipation(PTOT)(W)
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Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
|
Package
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质量等级
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WM2V020065K
|
SiC MOSFET
|
650V
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20mΩ
|
G2
|
92A
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2.6V
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187nc
|
312W
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175℃
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TO-247-3
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车规级
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凌锐半导体SIC MOS选型表
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产品型号
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品类
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电压
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电流
|
内阻
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驱动电压
|
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L2M0028120KA
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SIC MOS
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1200V
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84A
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25mΩ
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-5/18V
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macrocore semiconductor SiC MOSFET选型表
选型表 - macrocore semiconductor macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的SiC MOSFET选型:涵盖650V至2000V耐压范围，导通电阻从13mΩ至560mΩ，支持最大电流8A至125A，产品封装形式多样，包括TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L、DFN8*8、TOLL等，满足不同功率密度需求。所有型号均支持-40℃至175℃工作温度范围，部分型号通过车规级认证。具备低导通电阻、高开关速度及低栅极电荷量（QG最低13nC），优化系统效率和热性能。产品线交期为3个月，支持灵活起订量，助力客户快速量产。
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产品型号
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品类
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PKG
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VDS(V)
|
RDSON(mΩ)
|
RDSON(mΩ)
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ID(A)
|
Vth (V)
|
CISS(pF)
|
COSS(pF)
|
CRSS(pF)
|
QG（nC）
|
Operating Junction Temperature（℃）
|
Qualification
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产品状态
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产品线交 leadtime
|
MPQ 最小包装）
|
SPQ（标准包装）
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MOQ （最小订单）
|
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HX1M040065D
|
SiC MOSFET
|
TO-247-3L
|
650
|
33
|
35
|
71
|
2.6
|
2200
|
196
|
12
|
105
|
-40℃~175℃
|
工业级
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量产
|
3个月
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600EA
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3000EA
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600EA
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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET SCT40xxDLL系列
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真茂佳MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Type
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Product Status
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Qualification
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Technology
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VDS（V）
|
VGS（V）
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ID Tc=25℃（A）
|
PD
Tc=25℃（W）
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EAS L=0.1mH（mJ）
|
Vth min/typ/max （V）
|
Rds(on) Vgs=10V max（mΩ
|
Rds(on) Vgs=10V typ/max（mΩ）
|
Rds(on)
Vgs=4.5V
max（mΩ）
|
Rds(on) Vgs=4.5V typ/max（mΩ）
|
Rds(on) Vgs=18V typ/max （mΩ）
|
Rds(on) Vgs=15V typ （mΩ）
|
Ciss（pF）
|
Coss（pF）
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Crss（pF）
|
Rg（Ω）
|
Qg（nC）
|
Qgs（nC）
|
Qgd（nC）
|
Package Name
|
|
ZMCA88201M
|
Auto LnM MOSFET
|
N+P
|
MP
|
Automotive
|
RobustFET
|
20
|
±12
|
-4
|
17
|
10
|
-0.5/-0.7/-1.2
|
-
|
-
|
100
|
65/100
|
-
|
-
|
495
|
64
|
51
|
8
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5.3
|
1.5
|
2.4
|
DFN3*3 Dual
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派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
选型指南 派恩杰 - SIC SBD,碳化硅肖特基二极管,SIC场效应晶体管,SIC SBD,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,SIC备用电池,P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
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最小起订量：10000 提交需求>
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授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
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