YJG85G06B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
■产品摘要
●VDS:60V
●ID:85A
●RDS（ON）（VGS=10V时）：＜5.2mΩ
●RDS（ON）（VGS=4.5V时）：＜8mΩ
●100%EAS测试
●100%▽VDS测试
■概述
●分栅沟槽MOSFET技术
●出色的散热封装
●低RDS（ON）的高密度电池设计
●湿度敏感度等级1
●环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级
●无卤素
| 世强先进（深圳）科技股份有限公司 | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由扬杰科技品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
YJG85G06B N沟道增强型场效应晶体管
10-Jul-23 - 数据手册 本资料介绍了YJG85G06B型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散耗能力，适用于电源开关应用。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG85G06B,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR
N60V SGT MOSFET新品
2023/12/12 - 数据手册 该资料宣布了一种新型元器件产品，具备多种封装选项（DFN、PDFN、TOLL），适用于紧凑型设计。产品特点包括过流能力强、热阻低和宽范围的SOA特性，特别适合于电机驱动、BMS和移动储能等应用。
扬杰科技 - SGT MOSFET,YJG80G06B,YJT300G06H,YJQ70G06A,YJG210G06AR,YJG85G06H,YJT220G06H,YJG95G06B,YJG140G06A,YJG85G06B,移动储能,电机驱动,清洁电器,BMS,房舍管理系统
N60V SGT MOSFET
2023/12/12 - 数据手册 该资料宣布了三种新型元器件包材——DFN-L、PDFN-LL和TOL。这些包材适用于紧凑型设计，具有强过流能力、低热阻和更宽的SOA范围。它们特别适合电机驱动、电池管理系统（BMS）和移动储能系统等应用。
扬杰科技 - SGT MOSFET,YJG80G06B,YJT300G06H,YJQ70G06A,YJG210G06AR,YJG85G06H,YJT220G06H,YJG95G06B,YJG140G06A,YJG85G06B,移动储能,用于清洁的器具,MOBILE ENERGY STORAGE,BMS,MOTOR DRIVE,电动机驱动,房舍管理系统,APPLIANCESUSEDFORCLEANING
YJG85G06BQ N沟道增强型场效应晶体管
5-Jul-24 - 数据手册 本资料详细介绍了YJG85G06BQ型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数、热特性、封装信息等。该产品适用于功率开关应用，具有低导通电阻、高电流承载能力、良好的热性能和可靠性。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG85G06BQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,电源切换,汽车系统,AUTOMOTIVE SYSTEMS,直流-直流变换器,POWER SWITCHING,DC-DC CONVERTOR
查看更多版本
扬杰科技MOSFET选型表
选型表 - 扬杰科技 扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
|
产品型号
|
品类
|
Status
|
PD(W)
|
Crss_Typ(pF)
|
Configuration
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Grade
|
Tj(℃）
|
ID(A)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Type
|
VDSS(V)
|
Coss_Typ(pF)
|
VGS(V)
|
ESD
|
Qg_Typ(nC)
|
Package
|
|
YJG85G06BQ
|
MOSFET
|
New
|
138
|
68
|
Single
|
5.2
|
1800
|
1.6
|
8.5
|
4
|
Automotive
|
175
|
85
|
5.9
|
N
|
60
|
825
|
±20
|
No
|
38.5
|
PDFN5060-8L
|
N沟道增强型场效应晶体管
17-Mar-26 - 数据手册 本资料详细介绍了N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（N沟道增强型场效应晶体管）的产品特性、电气特性、应用领域和封装信息。资料中提供了该产品的关键参数，如漏源电压、栅极源极电压、连续漏极电流、静态漏源导通电阻等，并包含了典型电气和热特性图以及测试电路和波形。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJP190D65BHJ,DC-DC CONVERTER,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,DC-DC变换器
查看更多版本
YJG9D5G06A N沟道增强型场效应晶体管
30-Aug-24 - 数据手册 本资料介绍了YJG9D5G06A型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件具有高密度设计以实现低导通电阻，适用于电源开关应用。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG9D5G06A,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR
查看更多版本
YJD5D8G10A N沟道增强型场效应晶体管
23-Jul-24 - 数据手册 本资料详细介绍了YJD5D8G10A型号的N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（增强型场效应晶体管）。资料涵盖了产品的概述、特性、电气参数、热阻、封装信息以及测试电路和波形图。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD5D8G10A,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR
YJG60G10B N沟道增强型场效应晶体管
24-Oct-23 - 数据手册 本资料介绍了YJG60G10B型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有高密度单元设计以实现低RDS(ON)，适用于高频开关和同步整流应用。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG60G10B,同步整流,HIGH FREQUENCY SWITCHING,高频开关,SYNCHRONOUS RECTIFICATION
查看更多版本
YJG2D5G06HQ N沟道增强型场效应晶体管
26-Jan-24 - 数据手册 本资料介绍了YJG2D5G06HQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热散性，适用于电源开关应用。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG2D5G06HQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR
YJB6D8G15H N沟道增强型场效应晶体管
3-Sep-24 - 数据手册 本资料介绍了YJB6D8G15H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散性等特点，适用于电源开关应用。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJB6D8G15H,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR
YJQ35N03A N沟道增强型场效应晶体管
27-Jul-23 - 数据手册 本资料介绍了YJQ35N03A N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品规格和应用。该器件采用 trench 功率 LV MOSFET 技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热散性，适用于高压大电流负载应用。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJQ35N03A,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,LOAD SWITCHING,负荷切换
YJF30G15H N沟道增强型场效应晶体管
16-Jun-23 - 数据手册 本资料介绍了YJF30G15H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和优异的稳定性和均匀性。它适用于电源管理和便携式设备等领域。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJF30G15H,便携式设备,POWER MANAGEMENT,电源管理,PORTABLE EQUIPMENT
长晶科技SIC SBD选型表
选型表 - 长晶科技 工业级晶体管产品规格与供应链参数总表，系统展示了覆盖 650V（13款）及 1200V（9款）两大电压等级的完整产品线。资料以型号为索引，横向关联了从物理封装、制造工艺到电性指标（正向电流 4A-40A、单脉冲浪涌电流最高 350A）的全维度参数。该产品线主要面向 LED 驱动、家电、光伏（PV）及电动车充电（EV Charger）等应用场景，其中高电压大电流型号专为光伏和 EV 充电等高端应用设计。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Process
|
Product Grade
|
VR
|
VF
|
IF
|
IFSM_Max @ tP = 10ms
|
QC
|
Status
|
Application
|
L/T Week
|
SPQ
|
MOQ
|
|
CSDD04H65J1_TO-252
|
晶体管
|
TO-252
|
JBS
|
industrial
|
650
|
1.34
|
4
|
32
|
12
|
Active
|
LED Driver
|
12
|
2,500
|
12,500
|
长晶科技SIC MOS选型表
选型表 - 长晶科技 一条覆盖电压范围广、封装选择灵活且供应链状态活跃的 MOSFET 产品线。无论是针对 LED照明等消费类应用，还是光伏及电动汽车充电等工业级高功率应用，该表格均能提供关键的数据支持。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Grade
|
Voltage
|
Rdson @15V
|
Rdson @18V
|
ID
|
Vth
|
Qg
|
Ciss
|
Coss
|
Crss
|
Status
|
Application
|
L/T Week
|
SPQ
|
MOQ
|
|
CJU180CP65C3H_TO-252
|
晶体管
|
TO-252
|
industrial
|
650
|
187
|
-
|
19
|
3.9
|
15.3
|
431
|
30
|
3
|
可靠性
|
LED Driver、Display power
|
16
|
2,500
|
12,500
|
电子商城
服务市场
世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务，与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接，将IC设计高度抽象化，并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线，自动生成代码。点击预约，支持到场/视频直播使用，资深专家全程指导。
实验室地址：深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论