SUM75N15-18P-E3-VB Datasheet N-Channel 150 V (D-S) MOSFET
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|
产品型号
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品类
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Vds(V)
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Vth(V)
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Ida(A)
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沟道
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封装
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SUM75N15-18P-E3-VB
|
MOSFET
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150V
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3V
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128A
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Single-N
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TO263
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|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PT(W)
|
Tch(℃)
|
RDS(ON)(typ.)(Ω)
|
Ciss(typ.)(pF)
|
Qg(typ.)(nC)
|
Vth(typ.)(V)
|
Package(House Name)
|
|
P56LA4SN
|
MOSFET
|
N-channel
|
40
|
56
|
99
|
-55 to 150
|
0.0045
|
1680
|
38
|
3
|
LA
|
BORN小信号 MOSFET选型表
选型表 - BORN BORN小信号 MOSFET选型:VDSS(V):-100~100,VGS(V):±5~±20,ID(A):-15~18,P.D.(mW):150~35000,Package:DFN2X2-6L/SOT-23/SOT-723/SOT-523等。
|
产品型号
|
品类
|
VDSS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(th)(V)
|
RDS(ON)Max.@VGS/IDS(mΩ)
|
P.D.(mW)
|
Channel Type
|
Package
|
|
BM3407
|
小信号 MOSFET
|
-30
|
±20
|
-4.2
|
-1
|
55
|
1400
|
P-Channel
|
SOT-23
|
电子商城
服务市场
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量:1 提交需求>
现货市场
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