FS50VS-3-VB Datasheet N-Channel 150 V (D-S) MOSFET
| 世强先进（深圳）科技股份有限公司 | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由VBsemi品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
FS50VS-06-VB 数据手册 N沟道 60-V（D-S）MOSFET
2025/10/30 - 数据手册 本资料详细介绍了FS50VS-06-VB型N-Channel 60-V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、规格参数、典型特性、热性能、封装尺寸和推荐最小焊盘尺寸。资料中未提及具体的应用领域。
VBSEMI - MOSFET,FS50VS-06-VB,开关电源,电机控制,电源管理
FS50VSJ-2-VB 数据手册
数据手册 本资料详细介绍了FS50VSJ-2-VB型N通道100V MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸。资料还包含了免责声明和产品分类政策。
VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,FS50VSJ-2-VB,电机控制,电源管理
FS50VSJ-3-VB 数据手册 N沟道 150V（漏源）MOSFET
2025/10/30 - 数据手册 本资料详细介绍了FS50VSJ-3-VB N-Channel 150 V MOSFET的产品特性、应用领域和热性能。该MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和宽工作温度范围，适用于电源、同步整流、DC/DC转换器、电机驱动和逆变器等应用。
VBSEMI - MOSFET,FS50VSJ-3-VB,电机驱动开关,同步整流,电源供应,DC/AC逆变器,DC/DC转换器,太阳能微型逆变器,D类音频放大器,电池管理
FS50VSJ-06-VB 数据手册 N沟道 60-V（D-S）MOSFET
2025/10/30 - 数据手册 本资料详细介绍了FS50VSJ-06-VB型号的N-Channel 60-V (D-S) MOSFET产品。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、电气特性、热阻、典型特性、封装尺寸、推荐最小焊盘尺寸以及免责声明等内容。
VBSEMI - MOSFET,FS50VSJ-06-VB,高电压应用
P沟道200V（漏-源）MOSFET
2025/12/15 - 数据手册 本资料主要介绍了一种P-Channel 200V (D-S) MOSFET产品，包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻额定值、规格、典型特性等详细信息。
VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 200V (D-S) MOSFET
查看更多版本
N沟道60V（漏极-源极）MOSFET
2025/11/08 - 数据手册 本资料详细介绍了N-Channel 60V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性和热性能。资料涵盖了产品的电气特性、热性能、封装尺寸和免责声明等内容。
VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 60V (D-S) MOSFET,电机控制,电源管理
查看更多版本
N沟道30 V（D-S）MOSFET
2025/12/15 - 数据手册 本资料介绍了一种N-Channel 30-V (D-S) MOSFET，详细描述了其产品特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。
VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET,同步整流,电源供应
查看更多版本
P沟道30v（D-S）MOSFET
2025/10/29 - 数据手册 本资料详细介绍了P-Channel 30 V (D-S) MOSFET的产品特性、规格参数、典型特性曲线、热性能、封装尺寸等信息。资料涵盖了该MOSFET的绝对最大额定值、电气特性、热阻、封装类型等关键参数。
VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
查看更多版本
P沟道20-V（漏-源）MOSFET
2025/12/15 - 数据手册 本资料介绍了一种P-Channel 20-V (D-S) MOSFET，详细描述了其产品特性、应用领域、绝对最大额定值、规格参数、典型特性、热阻、封装尺寸和推荐焊盘布局。资料中未提及具体的产品特性，但提供了详细的技术参数和应用信息。
VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET,便携式设备（负载开关、电池开关、充电器开关）
查看更多版本
N沟道60-V（D-S）MOSFET
2025/10/29 - 技术文档 本资料详细介绍了N-Channel 60-V (D-S) MOSFET的产品特性、应用范围、绝对最大额定值、热阻等级、MOSFET规格、典型特性曲线、封装尺寸和推荐最小焊盘尺寸。资料中包含了产品的主要技术参数，如漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流、静态和动态特性等，并提供了典型应用场景下的性能数据。
VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET,电池开关,DC/DC转换器
查看更多版本
60 V沟道MOSFET
2025/12/15 - 数据手册 本资料详细介绍了N-Channel 60 V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性和热性能。资料涵盖了MOSFET的静态和动态特性，包括漏源击穿电压、栅极阈值电压、导通电阻、输入电容、输出电容、反向传输电容、总栅极电荷等关键参数。
VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,各种电子设备中的开关和控制应用
查看更多版本
VBsemi场效应管选型表
选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
沟道
|
Vds(V)
|
Vth(V)
|
Ida(A)
|
|
12N10-VB
|
MOSFET
|
TO252
|
Single-N
|
100V
|
1.8V
|
15A
|
SHINDENGEN-MOSFET选型表
选型表 - SHINDENGEN SHINDENGEN-MOSFET选型：VDSS(V)：40~900，ID(A)：0.5~300，PT(W)：20~441，RDS(ON)(typ.)(Ω)：0.00064~9.5，Ciss(typ.)(pF)：120~9675。
|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PT(W)
|
Tch(℃)
|
RDS(ON)(typ.)(Ω)
|
Ciss(typ.)(pF)
|
Qg(typ.)(nC)
|
Vth(typ.)(V)
|
Package(House Name)
|
|
P56LA4SN
|
MOSFET
|
N-channel
|
40
|
56
|
99
|
-55 to 150
|
0.0045
|
1680
|
38
|
3
|
LA
|
BORN小信号 MOSFET选型表
选型表 - BORN BORN小信号 MOSFET选型：VDSS(V)：-100~100，VGS(V)：±5~±20，ID(A)：-15~18，P.D.(mW)：150~35000，Package：DFN2X2-6L/SOT-23/SOT-723/SOT-523等。
|
产品型号
|
品类
|
VDSS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(th)(V)
|
RDS(ON)Max.@VGS/IDS(mΩ)
|
P.D.(mW)
|
Channel Type
|
Package
|
|
BM3407
|
小信号 MOSFET
|
-30
|
±20
|
-4.2
|
-1
|
55
|
1400
|
P-Channel
|
SOT-23
|
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论