SI4505DY-T1-E3-VB Datasheet N- and P-Channel 3 0 V (D-S) MOSFET

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发布时间： 2025-10-31 品牌： VBsemi 资料类型：数据手册语言：英文

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一份针对N沟道和P沟道3 0 V（漏源极）MOSFET的数据手册，包含各种规格和特性。

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VBsemi-威世-MOS对照表

对照表 - VBSEMI

型号- 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选型替换

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、封装尺寸、绝对最大额定值、规格参数、典型特性曲线等，旨在为工程师提供全面的产品信息。

VBSEMI - MOSFET,POWER MOSFET

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P沟道200V（漏-源）MOSFET

2025/12/15 - 数据手册本资料主要介绍了一种P-Channel 200V (D-S) MOSFET产品，包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻额定值、规格、典型特性等详细信息。

2025/10/29 - 数据手册本资料介绍了一种P-Channel 60-V (D-S) MOSFET产品，包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。产品适用于高电压隔离应用，具有低热阻、动态dV/dt额定值等特点。

VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

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VBsemi场效应管选型表

选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域

产品型号	品类	封装	沟道	Vds(V)	Vth(V)	Ida(A)
12N10-VB	MOSFET	TO252	Single-N	100V	1.8V	15A

立即选型

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SHINDENGEN-MOSFET选型表

选型表 - SHINDENGEN SHINDENGEN-MOSFET选型：VDSS(V)：40~900，ID(A)：0.5~300，PT(W)：20~441，RDS(ON)(typ.)(Ω)：0.00064~9.5，Ciss(typ.)(pF)：120~9675。

产品型号	品类	Polarity	VDSS(V)	ID(A)	PT(W)	Tch(℃)	RDS(ON)(typ.)(Ω)	Ciss(typ.)(pF)	Qg(typ.)(nC)	Vth(typ.)(V)	Package(House Name)
P56LA4SN	MOSFET	N-channel	40	56	99	-55 to 150	0.0045	1680	38	3	LA