N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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|
产品型号
|
品类
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封装
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沟道
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Vds(V)
|
Vth(V)
|
Ida(A)
|
|
12N10-VB
|
MOSFET
|
TO252
|
Single-N
|
100V
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1.8V
|
15A
|
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|
产品型号
|
品类
|
VDSS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(th)(V)
|
RDS(ON)Max.@VGS/IDS(mΩ)
|
P.D.(mW)
|
Channel Type
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Package
|
|
BM3407
|
小信号 MOSFET
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-30
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±20
|
-4.2
|
-1
|
55
|
1400
|
P-Channel
|
SOT-23
|
海明微半导体碳化硅MOSFET选型表
选型表 - 海明微半导体 海明微半导体提供多款碳化硅 MOSFET 选型，电压量程覆盖 650V、700V 、1200V，脉冲漏极电流 IDM 范围 18A 至 309A，漏源导通电阻 RDS 为 16m~260mR ，最大功率范围 47W 至833W。该系列 SiC MOSFET 具有高击穿电压、高抗干扰能力、高可靠性、低反向漏电流、低米勒电容、低优值因子（QGD*RDS）以及高温下更低导通电阻等优势。顶部散热产品具有卓越的散热能力较小的占板面积，适用于新能源汽车电源、工业变频、充电桩、光伏逆变器、储能、UPS等领域、服务器电源、射频电源、电能质量改善设备、电焊机、车载空调系统等领域。
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产品型号
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品类
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电压量程
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IDM脉冲漏极电流（最大峰值电流）
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漏源导通电阻
RDS
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最大功率
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HC060N065H6P
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碳化硅MOSFET
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650V
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92.6A
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60mR
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288W
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