YJG80G06B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
■产品摘要
●VDS:60V
●ID:80A
●RDS（ON）（VGS=10V时）：＜4.2 mohm
●RDS（ON）（VGS=4.5V时）：＜5.2 mohm
●100%EAS测试
●100%▽VDS测试
■概述
●分栅沟槽MOSFET技术
●出色的散热封装
●低RDS（ON）的高密度电池设计
●湿度敏感度等级1
●环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级
●无卤素
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产品型号
|
品类
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Status
|
PD(W)
|
Crss_Typ(pF)
|
Configuration
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Grade
|
Tj(℃）
|
ID(A)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Type
|
VDSS(V)
|
Coss_Typ(pF)
|
VGS(V)
|
ESD
|
Qg_Typ(nC)
|
Package
|
|
YJG80G06B
|
MOSFET
|
Active
|
96
|
26
|
Single
|
4.2
|
4000
|
1.7
|
5.2
|
3
|
Industrial
|
150
|
80
|
3.9
|
N
|
60
|
780
|
±20
|
No
|
66
|
PDFN5060-8L
|
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产品型号
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品类
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Package
|
Process
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Product Grade
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VR
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VF
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IF
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IFSM_Max @ tP = 10ms
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QC
|
Status
|
Application
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L/T Week
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SPQ
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MOQ
|
|
CSDD04H65J1_TO-252
|
晶体管
|
TO-252
|
JBS
|
industrial
|
650
|
1.34
|
4
|
32
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12
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Active
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LED Driver
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12
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2,500
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12,500
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长晶科技SIC MOS选型表
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产品型号
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品类
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Package
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Product Grade
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Voltage
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Rdson @15V
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Rdson @18V
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ID
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Vth
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Qg
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Ciss
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Coss
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Crss
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Status
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Application
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L/T Week
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SPQ
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MOQ
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CJU180CP65C3H_TO-252
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晶体管
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TO-252
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industrial
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650
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187
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-
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19
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3.9
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15.3
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431
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30
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3
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可靠性
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LED Driver、Display power
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16
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2,500
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12,500
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电子商城
服务市场
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