SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%

2023-04-14 世强
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随着新能源市场的爆发,电动汽车、光伏、储能等下游应用驱动下,碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。世强硬创联合瑶芯微爱仕特派恩杰瞻芯电子中电国基南方SMC,带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品,最高1700V宽耐压,开关损耗降低50%。


品牌及产品介绍      


致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI)

瑶芯微推出的SIC MOS AKCK2M040WMH,耐压1200V,导通内阻低至40mΩ,持续电流59A,T0247-3封装,结温-55~+150℃,可以有效降低热损耗,提高工作效率,同时也可以减小变压器等器件的体积,节省空间。可应用于光伏逆变BOOST升压电路。

【数据手册】AKCK2M040WMH 1200V 40mohm Silicon Carbide Power MOSFET DATASHEET

【选型】瑶芯微(ALKAIDSEMI)功率器件产品选型指南


国内首家量产六英寸SiC MOS厂家——爱仕特(AST)

爱仕特推出的N沟道SIC MOSFET-ASCXXN1200MT4系列产品,漏源电压1200V,结温和存储温度范围为-55℃至+150℃,低电容高速开关;高阻断电压,低RDS(on);使用标准栅极驱动,驱动简单;符合ROHS标准,并经过100%雪崩测试;可用于EV充电、DC-AC逆变器高压DC/DC转换器开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动领域。

【数据手册】ASC60N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET

【数据手册】ASC30N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET

【选型】爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南


国内领先的第三代半导体功率器件设计公司——派恩杰(PN Junction)

派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3,最大漏极电流为2.7A,符合RoHS标准,无卤素,封装采用TO-247-3;高阻断电压,低导通电阻;工作结温范围为-55℃至+200℃,可提高系统效率和功率密度,减少散热器需求,节省系统成本。应用于太阳能逆变器,电动汽车电池充电器,高压DC/DC转换器等领域。

【数据手册】P3M173K0K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode

【选型】派恩杰(PN Junction)碳化硅MOSFET选型指南


中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip)

瞻芯电子推出的车规级SiC MOSFET“IV1Q12XXX”系列产品,漏源电压1200V,耐高压且低导通电阻;可高速开关,且寄生电容小;耐受工作结温高达175℃,鲁棒性好。可用于车载充电器,车载压缩机逆变器、车载DC/DC、光伏逆变器、开关电源等领域。

【数据手册】IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ 车规级SiC MOSFET

【数据手册】IV1Q12160D7Z– 1200V 160mΩ 车规级 SiC MOSFET

【选型】瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/栅极驱动芯片/模拟控制芯片选型指南


中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一:中电国基南方(CETC)

中电国基南方(CETC)推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A040120L,高阻断电压,低通态电阻,低寄生电容,可用于高速开关;器件的漏-源电压(VDS):1200V,漏源通态电阻(RDS(on)):40mΩ,连续漏极电流(ID):68A@Tc=25℃。广泛应用于再生能源、电动车蓄电池充电桩、高压DC/DC转换器、开关模式电源等场景。

【数据手册】WM2A040120L N-Channel SiC Power MOSFET

【选型】中电国基南方SiC电力电子器件(SiC MOSFET/SiC SBD)选型指南(中文)


拥有完整SIC产品体系的半导体厂商——SMC

SMC推出的SIC MOS S2M00XX120K系列产品,导通内阻涵盖16 mΩ、25 mΩ、40mΩ、80 mΩ, 目前有T0247-3、T0247-4两种封装,结温-55~+175℃,高阻断电压,低导通电阻,可以有效降低热损耗,提高工作效率;同时也可以减小设计体积,节省空间。可应用于光伏储能逆变器,高压DC/DC转换电路,汽车电驱以及汽车OBC。

【数据手册】S2M0025120K 1200V SIC POWER MOSFET

【数据手册】S2M0040120K 1200V SIC POWER MOSFET

【数据手册】S2M0080120K 1200V SIC POWER MOSFET

【选型】SiC MOSFETs & SiC Schottky Diodes & Bare Die SiC MOSFETs & Bare Die SiC Schottky Diodes


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  • 鄗立恒 Lv8. 研究员 2024-04-01
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  • 鄗立恒 Lv8. 研究员 2024-03-30
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  • 用户55155032 Lv2 2024-03-19
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厂牌及品类    发布时间 : 2024-04-13

扬杰科技2024慕尼黑上海电子展回顾,展示新能源汽车、光伏逆变器、储能逆变器等多元领域的产品解决方案

2024年7月8-10日,为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕,扬杰科技凭借卓越先进的展品、行业应用解决方案、独具一格的展台设计,现场销售人员、FAE、PM、行业经理等进行专业接待交流,吸引大量新老客户来现场进行互相交流探讨,展会现场人流如织,使得扬杰科技成为本次展会一大亮点。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-07-13

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品牌:派恩杰

品类:SIC MOS

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品牌:爱仕特

品类:SiC MOS芯片

价格:¥100.0000

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品牌:爱仕特

品类:SiC MOS芯片

价格:¥40.0000

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品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

价格:¥50.0000

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品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

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品牌:中电国基南方

品类:碳化硅场效应管

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品牌:瑶芯微

品类:Power MOSFET

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品牌:SMC

品类:晶闸管

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品牌:SMC

品类:晶闸管

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品牌:SMC

品类:SIC POWER MOSFET

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品牌:CREE

品类:Silicon Carbide Power MOSFET

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品牌:CREE

品类:晶体管

价格:¥13.5799

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品牌:CREE

品类:Six Channel SiC MOSFET Driver

价格:¥2,765.7315

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品牌:CREE

品类:晶体管

价格:¥25.2282

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可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。

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贴片LED二极管/灯珠定制

可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。

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